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SDRAM即同(tóng)步動(dòng)态随機(jī)存儲單元(yuán)，主(zhǔ)要(yào)用(yòng)来(lái)存儲較大容量(liàng)的(de)數據(jù)。我(wǒ)们(men)都知道(dào)，數據(jù)在(zài)处理的(de)过(guò)程中(zhōng)一(yī)般都需要(yào)進(jìn)行存儲，開(kāi)發(fà)板上(shàng)常見(jiàn)的(de)存儲方(fāng)式有(yǒu)FPGA內(nèi)部(bù)芯片(piàn)RAM資源、外(wài)部(bù)Flash存儲器和(hé)外(wài)部(bù)SDRAM存儲器。除了(le)Flash，其他(tā)两(liǎng)種(zhǒng)存儲器都是(shì)掉電(diàn)即丢失數據(jù)，由(yóu)于(yú)Flash掉電(diàn)能(néng)够保持(chí)內(nèi)部(bù)數據(jù)，因(yīn)此(cǐ)Flash主(zhǔ)要(yào)用(yòng)来(lái)固化(huà)程序或(huò)者(zhě)固化(huà)參數。FPGA片(piàn)內(nèi)的(de)RAM資源稀少(shǎo)而(ér)且珍貴，在(zài)大容量(liàng)存儲场合如(rú)图(tú)像數據(jù)緩存时(shí)，只(zhī)能(néng)選擇外(wài)部(bù)存儲如(rú)SDRAM、DDR3等存儲器。在(zài)MP801開(kāi)發(fà)板上(shàng)就(jiù)含有(yǒu)三(sān)块(kuài)SDRAM芯片(piàn)，可(kě)以(yǐ)滿足較大數據(jù)的(de)高(gāo)速读(dú)取(qǔ)。作为(wèi)新手(shǒu)進(jìn)階(jiē)过(guò)程中(zhōng)所(suǒ)面(miàn)对(duì)的(de)一(yī)个(gè)較複雜的(de)接口(kǒu)，很多(duō)人(rén)对(duì)SDRAM的(de)工作方(fāng)式及(jí)接口(kǒu)时(shí)序不(bù)是(shì)很清(qīng)楚。經(jīng)过(guò)查閱數據(jù)手(shǒu)册與(yǔ)搜集相關(guān)的(de)技術(shù)文(wén)檔，我(wǒ)整理了(le)一(yī)篇(piān)有(yǒu)關(guān)SDRAM接口(kǒu)读(dú)写时(shí)序的(de)文(wén)章(zhāng)，希望能(néng)够幫助不(bù)了(le)解(jiě)的(de)同(tóng)学对(duì)SDRAM數據(jù)读(dú)写有(yǒu)更(gèng)進(jìn)一(yī)步的(de)認識。
一(yī)、SDRAM初始化(huà)
在(zài)SDRAM內(nèi)部(bù)有(yǒu)一(yī)个(gè)邏輯控制單元(yuán)，并且有(yǒu)一(yī)个(gè)模式寄存器为(wèi)其提(tí)供控制參數。每次(cì)開(kāi)機(jī)时(shí)SDRAM都要(yào)先(xiān)对(duì)这(zhè)个(gè)控制邏輯核心(xīn)進(jìn)行初始化(huà)，關(guān)鍵階(jiē)段(duàn)就(jiù)在(zài)于(yú)模式寄存器（MR, Mode Register）的(de)設置，簡稱MRS(MR Set)。
SDRAM必須以(yǐ)預定(dìng)義的(de)方(fāng)式啟動(dòng)和(hé)初始化(huà)。在(zài)電(diàn)源同(tóng)时(shí)作用(yòng)于(yú)Vdd和(hé)Vddq後(hòu)開(kāi)始初始化(huà)SDRAM，此(cǐ)时(shí)的(de)时(shí)鐘(zhōng)稳定(dìng)并且将DQM和(hé)CKE信(xìn)号(hào)拉高(gāo)。在(zài)向(xiàng)SDRAM發(fà)命令之前(qián)需要(yào)有(yǒu)100us的(de)延时(shí)，此(cǐ)时(shí)SDRAM不(bù)執行任何操作。在(zài)100us延时(shí)滿足後(hòu)，需要(yào)对(duì)Bank進(jìn)行預充電(diàn)，在(zài)此(cǐ)期(qī)間(jiān)所(suǒ)有(yǒu)的(de)Bank处于(yú)空閑狀态。預充電(diàn)之後(hòu)会(huì)有(yǒu)至(zhì)少(shǎo)两(liǎng)个(gè)自(zì)刷新，完成(chéng)自(zì)刷新便可(kě)以(yǐ)对(duì)SDRAM進(jìn)行模式寄存器配置。
图(tú)1 SDRAM初始化(huà)时(shí)序
SDRAM模式寄存器所(suǒ)控制的(de)操作參數：地(dì)址線(xiàn)提(tí)供不(bù)同(tóng)的(de)0/1信(xìn)号(hào)来(lái)獲得不(bù)同(tóng)的(de)參數。在(zài)設置到(dào)MR之後(hòu)，就(jiù)開(kāi)始了(le)進(jìn)入(rù)正(zhèng)常的(de)工作狀态。
二(èr)、行激活
初始化(huà)完成(chéng)後(hòu)，在(zài)向(xiàng)SDRAM發(fà)送读(dú)或(huò)写命令之前(qián)必須打(dǎ)開(kāi)該Bank中(zhōng)的(de)一(yī)行，通(tòng)过(guò)ACTIVE命令来(lái)确定(dìng)要(yào)激活的(de)Bank和(hé)行。要(yào)想(xiǎng)对(duì)一(yī)个(gè)L-Bank中(zhōng)的(de)阵(zhèn)列進(jìn)行尋址，首先(xiān)要(yào)确定(dìng)行（Row），然後(hòu)确定(dìng)列。片(piàn)選信(xìn)号(hào)與(yǔ)L-Bank選擇信(xìn)号(hào)與(yǔ)行有(yǒu)效同(tóng)时(shí)進(jìn)行。
图(tú)2 行有(yǒu)效时(shí)序
從上(shàng)图(tú)中(zhōng)可(kě)以(yǐ)看(kàn)出(chū)，在(zài)片(piàn)選信(xìn)号(hào)、Bank地(dì)址選定(dìng)的(de)同(tóng)时(shí)，RAS（Row Address Strobe，行地(dì)址選通(tòng)脈沖）也(yě)处于(yú)有(yǒu)效狀态，此(cǐ)时(shí)An地(dì)址線(xiàn)發(fà)送具體(tǐ)的(de)行地(dì)址。行地(dì)址位宽(kuān)为(wèi)12，共(gòng)可(kě)以(yǐ)指示2^12=4096个(gè)具體(tǐ)的(de)行地(dì)址。當行地(dì)址被(bèi)激活後(hòu)，相應(yìng)的(de)Bank也(yě)被(bèi)激活，因(yīn)此(cǐ)行激活又叫L-Bank激活。
三(sān)、列读(dú)写
行地(dì)址确定(dìng)以(yǐ)後(hòu)，就(jiù)要(yào)对(duì)列地(dì)址進(jìn)行尋址了(le)。地(dì)址線(xiàn)仍使用(yòng)A0-A11，即行地(dì)址與(yǔ)列地(dì)址共(gòng)用(yòng)地(dì)址線(xiàn)。當列地(dì)址選通(tòng)後(hòu)，就(jiù)需要(yào)对(duì)SDRAM進(jìn)行读(dú)写，而(ér)給(gěi)SDRAM读(dú)命令還(huán)是(shì)写这(zhè)就(jiù)由(yóu)WE#信(xìn)号(hào)来(lái)決定(dìng)。當WE#信(xìn)号(hào)拉低时(shí)，SDRAM接收(shōu)到(dào)的(de)是(shì)写命令；當WE#拉高(gāo)，SDRAM接收(shōu)读(dú)命令。列尋址信(xìn)号(hào)與(yǔ)读(dú)写命令是(shì)同(tóng)时(shí)發(fà)出(chū)的(de)。虽然地(dì)址線(xiàn)與(yǔ)行尋址共(gòng)用(yòng)，但CAS（Column Address Strobe，列地(dì)址選通(tòng)脈沖）信(xìn)号(hào)則可(kě)以(yǐ)區(qū)分(fēn)開(kāi)行與(yǔ)列尋址的(de)不(bù)同(tóng)，配合A0-A9，A11来(lái)确定(dìng)具體(tǐ)的(de)定(dìng)址。
在(zài)發(fà)送列读(dú)写命令时(shí)必須要(yào)與(yǔ)行有(yǒu)效命令有(yǒu)一(yī)个(gè)时(shí)間(jiān)間(jiān)隔，这(zhè)个(gè)时(shí)間(jiān)間(jiān)隔被(bèi)定(dìng)義为(wèi)tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至(zhì)CAS延遲）。比如(rú)tRCD=3，就(jiù)代(dài)表(biǎo)延遲周期(qī)为(wèi)3个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)，即在(zài)行有(yǒu)效命令發(fà)出(chū)後(hòu)，經(jīng)过(guò)3个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)的(de)延时(shí)，才能(néng)發(fà)送列读(dú)写命令，SDRAM進(jìn)入(rù)數據(jù)读(dú)写操作。
图(tú)3 tRCD=3的(de)列读(dú)写时(shí)序图(tú)
四(sì)、读(dú)操作
读(dú)命令從輸入(rù)信(xìn)号(hào)BA0、BA1中(zhōng)選取(qǔ)要(yào)進(jìn)行读(dú)數據(jù)操作的(de)BANK，并在(zài)已激活的(de)行中(zhōng)進(jìn)行突發(fà)读(dú)操作。輸入(rù)的(de)A0-A7用(yòng)来(lái)進(jìn)行列尋址。在(zài)選定(dìng)列地(dì)址後(hòu)，就(jiù)已經(jīng)确定(dìng)了(le)具體(tǐ)的(de)存儲單元(yuán)，剩下(xià)的(de)事(shì)情(qíng)就(jiù)是(shì)數據(jù)通(tòng)过(guò)數據(jù)I/O通(tòng)道(dào)（DQ）輸出(chū)到(dào)內(nèi)存總(zǒng)線(xiàn)上(shàng)了(le)。但是(shì)在(zài)CAS （列地(dì)址選通(tòng)脈沖）發(fà)出(chū)之後(hòu)，仍要(yào)經(jīng)过(guò)一(yī)定(dìng)的(de)时(shí)間(jiān)才能(néng)有(yǒu)數據(jù)輸出(chū)，從CAS與(yǔ)读(dú)取(qǔ)命令發(fà)出(chū)到(dào)第(dì)一(yī)个(gè)數據(jù)輸出(chū)的(de)这(zhè)段(duàn)时(shí)間(jiān)，被(bèi)定(dìng)義为(wèi)CL（CAS Latency，CAS潛伏期(qī)）。由(yóu)于(yú)CL只(zhī)在(zài)读(dú)取(qǔ)时(shí)出(chū)現(xiàn)，所(suǒ)以(yǐ)CL又被(bèi)稱为(wèi)读(dú)取(qǔ)潛伏期(qī)（RL，ReadLatency）。CL的(de)單位與(yǔ)tRCD一(yī)樣(yàng)，为(wèi)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)數，具體(tǐ)耗时(shí)由(yóu)时(shí)鐘(zhōng)頻率決定(dìng)。CAS并不(bù)是(shì)在(zài)經(jīng)过(guò)CL 周期(qī)之後(hòu)才送达(dá)存儲單元(yuán)。实際上(shàng)CAS與(yǔ)RAS一(yī)樣(yàng)是(shì)瞬間(jiān)到(dào)达(dá)的(de)，但CAS的(de)響應(yìng)时(shí)間(jiān)要(yào)更(gèng)快(kuài)一(yī)些。下(xià)图(tú)展(zhǎn)示了(le)CAS=3时(shí)的(de)读(dú)时(shí)序：
图(tú)4 CAS Latency=3的(de)示意(yì)图(tú)
由(yóu)于(yú)存儲體(tǐ)中(zhōng)晶體(tǐ)管(guǎn)存在(zài)反(fǎn)應(yìng)时(shí)間(jiān)，從而(ér)造成(chéng)數據(jù)不(bù)可(kě)能(néng)與(yǔ)CAS在(zài)同(tóng)一(yī)上(shàng)升(shēng)沿觸發(fà)，因(yīn)此(cǐ)要(yào)延後(hòu)至(zhì)少(shǎo)一(yī)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)。考慮到(dào)芯片(piàn)體(tǐ)積較小的(de)因(yīn)素，存儲單元(yuán)中(zhōng)的(de)電(diàn)容容量(liàng)很小，所(suǒ)以(yǐ)信(xìn)号(hào)要(yào)經(jīng)过(guò)放(fàng)大来(lái)保證其有(yǒu)效的(de)識别性(xìng)，这(zhè)个(gè)放(fàng)大/驅動(dòng)工作由(yóu)S-AMP負責，一(yī)个(gè)存儲體(tǐ)对(duì)應(yìng)一(yī)个(gè)S-AMP通(tòng)道(dào)。但它(tā)要(yào)有(yǒu)一(yī)个(gè)準備时(shí)間(jiān)才能(néng)保證信(xìn)号(hào)的(de)發(fà)送強(qiáng)度(dù)（事(shì)前(qián)還(huán)要(yào)進(jìn)行電(diàn)壓比較以(yǐ)進(jìn)行邏輯電(diàn)平的(de)判斷），因(yīn)此(cǐ)從數據(jù)I/O總(zǒng)線(xiàn)上(shàng)有(yǒu)數據(jù)輸出(chū)之前(qián)的(de)一(yī)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)上(shàng)升(shēng)沿開(kāi)始，數據(jù)即已傳向(xiàng)S-AMP，也(yě)就(jiù)是(shì)说(shuō)此(cǐ)时(shí)數據(jù)已經(jīng)被(bèi)觸發(fà)，經(jīng)过(guò)一(yī)定(dìng)的(de)驅動(dòng)时(shí)間(jiān)最(zuì)終(zhōng)傳向(xiàng)數據(jù)I/O 總(zǒng)線(xiàn)進(jìn)行輸出(chū)，这(zhè)段(duàn)时(shí)間(jiān)我(wǒ)们(men)稱之为(wèi)tAC（Access-Time-from-CLK，时(shí)鐘(zhōng)觸發(fà)後(hòu)的(de)訪問(wèn)时(shí)間(jiān)），單位是(shì)ns。在(zài)突發(fà)读(dú)操作完成(chéng)後(hòu)，如(rú)果(guǒ)選擇了(le)自(zì)動(dòng)預充電(diàn)模式，那(nà)麼(me)該行就(jiù)会(huì)直(zhí)接進(jìn)入(rù)充電(diàn)。如(rú)果(guǒ)沒(méi)有(yǒu)選擇此(cǐ)模式，那(nà)麼(me)該行将保持(chí)打(dǎ)開(kāi)狀态，供後(hòu)續訪問(wèn)。自(zì)動(dòng)預充電(diàn)模式的(de)選擇與(yǔ)A10的(de)值有(yǒu)關(guān)，A10为(wèi)高(gāo)时(shí)为(wèi)自(zì)動(dòng)預充電(diàn)命令模式。
五(wǔ)、写操作
數據(jù)写入(rù)的(de)操作也(yě)是(shì)在(zài)tRCD之後(hòu)進(jìn)行，但此(cǐ)时(shí)沒(méi)有(yǒu)CL（CL只(zhī)出(chū)現(xiàn)在(zài)读(dú)取(qǔ)操作中(zhōng)），行尋址與(yǔ)列尋址的(de)时(shí)序一(yī)樣(yàng)致(zhì)，只(zhī)是(shì)在(zài)列尋址时(shí)，WE#为(wèi)有(yǒu)效狀态。由(yóu)于(yú)數據(jù)信(xìn)号(hào)由(yóu)控制端發(fà)出(chū)，輸入(rù)时(shí)芯片(piàn)无需做任何調校(xiào)，只(zhī)需直(zhí)接傳到(dào)數據(jù)輸入(rù)寄存器中(zhōng)，然後(hòu)再由(yóu)写入(rù)驅動(dòng)器進(jìn)行对(duì)存儲電(diàn)容的(de)充電(diàn)操作，因(yīn)此(cǐ)數據(jù)可(kě)以(yǐ)與(yǔ)CAS同(tóng)时(shí)發(fà)送，也(yě)就(jiù)是(shì)说(shuō)写入(rù)延遲为(wèi)0。不(bù)过(guò)，數據(jù)并不(bù)是(shì)即时(shí)地(dì)写入(rù)存儲電(diàn)容，因(yīn)为(wèi)選通(tòng)三(sān)极(jí)管(guǎn)（就(jiù)如(rú)读(dú)取(qǔ)时(shí)一(yī)樣(yàng)）與(yǔ)電(diàn)容的(de)充電(diàn)必須要(yào)有(yǒu)一(yī)段(duàn)时(shí)間(jiān)，所(suǒ)以(yǐ)數據(jù)的(de)真(zhēn)正(zhèng)写入(rù)需要(yào)一(yī)定(dìng)的(de)周期(qī)。
六(liù)、突發(fà)读(dú)写
突發(fà)（Burst）是(shì)指在(zài)同(tóng)一(yī)行中(zhōng)相鄰的(de)存儲單元(yuán)連(lián)續進(jìn)行數據(jù)傳輸的(de)方(fāng)式，連(lián)續傳輸所(suǒ)涉及(jí)到(dào)存儲單元(yuán)（列）的(de)數量(liàng)就(jiù)是(shì)突發(fà)长度(dù)（Burst Lengths，簡稱BL）。前(qián)文(wén)講到(dào)的(de)读(dú)/写操作，都是(shì)一(yī)次(cì)对(duì)一(yī)个(gè)存儲單元(yuán)進(jìn)行尋址，如(rú)果(guǒ)要(yào)想(xiǎng)要(yào)連(lián)續的(de)向(xiàng)SDRAM中(zhōng)读(dú)數據(jù)或(huò)者(zhě)写數據(jù)，就(jiù)需要(yào)对(duì)當前(qián)存儲單元(yuán)的(de)下(xià)一(yī)个(gè)單元(yuán)進(jìn)行尋址，也(yě)即是(shì)需要(yào)不(bù)停給(gěi)SDRAM列激活信(xìn)号(hào)以(yǐ)及(jí)读(dú)/写命令（行地(dì)址不(bù)變(biàn)，所(suǒ)以(yǐ)不(bù)用(yòng)再对(duì)行尋址）。虽然由(yóu)于(yú)读(dú)/写延遲相同(tóng)可(kě)以(yǐ)讓數據(jù)的(de)傳輸在(zài)I/O端是(shì)連(lián)續的(de)，但它(tā)占用(yòng)了(le)大量(liàng)的(de)內(nèi)存控制資源，在(zài)數據(jù)進(jìn)行連(lián)續傳輸时(shí)无法輸入(rù)新的(de)命令，效率很低。为(wèi)此(cǐ)，人(rén)们(men)開(kāi)發(fà)了(le)突發(fà)傳輸技術(shù)，只(zhī)要(yào)指定(dìng)起始列地(dì)址與(yǔ)突發(fà)长度(dù)，SDRAM就(jiù)会(huì)不(bù)再需要(yào)控制器連(lián)續地(dì)提(tí)供列地(dì)址，依次(cì)地(dì)自(zì)動(dòng)对(duì)後(hòu)面(miàn)相應(yìng)數量(liàng)的(de)存儲單元(yuán)進(jìn)行读(dú)/写操作。这(zhè)樣(yàng)，在(zài)突發(fà)模式读(dú)写中(zhōng)，除了(le)第(dì)一(yī)个(gè)數據(jù)的(de)傳輸需要(yào)若干(gàn)个(gè)周期(qī)（主(zhǔ)要(yào)是(shì)之前(qián)的(de)延遲，一(yī)般的(de)是(shì)tRCD+CL），其後(hòu)每个(gè)數據(jù)只(zhī)需一(yī)个(gè)周期(qī)的(de)即可(kě)獲得。至(zhì)于(yú)突發(fà)长度(dù)BL的(de)數值，也(yě)是(shì)不(bù)能(néng)随便設或(huò)在(zài)數據(jù)進(jìn)行傳輸前(qián)臨时(shí)決定(dìng)，而(ér)是(shì)在(zài)上(shàng)文(wén)講到(dào)的(de)SDRAM初始化(huà)过(guò)程中(zhōng)模式寄存器配置階(jiē)段(duàn)就(jiù)要(yào)对(duì)突發(fà)长度(dù)進(jìn)行設置。目前(qián)可(kě)用(yòng)的(de)選項是(shì)1、2、4、8、全(quán)页(yè)（FullPage），常見(jiàn)的(de)突發(fà)长度(dù)設定(dìng)是(shì)BL=4、BL=8或(huò)者(zhě)全(quán)页(yè)突發(fà)模式。
图(tú)5 突發(fà)读(dú)时(shí)序图(tú)
七(qī)、預充電(diàn)
在(zài)進(jìn)行完读(dú)或(huò)写操作後(hòu)，接下(xià)来(lái)如(rú)果(guǒ)要(yào)对(duì)同(tóng)一(yī)个(gè)L-Bank的(de)另(lìng)一(yī)行進(jìn)行尋址，就(jiù)要(yào)将原来(lái)有(yǒu)效的(de)行關(guān)閉，重(zhòng)新發(fà)送行/列地(dì)址，这(zhè)是(shì)由(yóu)于(yú)SDRAM的(de)尋址具有(yǒu)独占性(xìng)造成(chéng)的(de)。L-Bank關(guān)閉現(xiàn)有(yǒu)工作行，準備打(dǎ)開(kāi)新行的(de)操作就(jiù)是(shì)預充電(diàn)（Precharge）。实際上(shàng)，預充電(diàn)就(jiù)是(shì)一(yī)種(zhǒng)对(duì)工作行中(zhōng)所(suǒ)有(yǒu)存儲體(tǐ)進(jìn)行數據(jù)重(zhòng)写，并对(duì)行地(dì)址進(jìn)行複位的(de)操作。
地(dì)址線(xiàn)A10控制着是(shì)否進(jìn)行在(zài)读(dú)或(huò)写操作之後(hòu)當前(qián)L-Bank自(zì)動(dòng)進(jìn)行預充電(diàn)。在(zài)單独的(de)預充電(diàn)命令中(zhōng)，A10控制着是(shì)对(duì)指定(dìng)的(de)L-Bank還(huán)是(shì)所(suǒ)有(yǒu)的(de)L-Bank（當有(yǒu)多(duō)个(gè)L-Bank处于(yú)有(yǒu)效/活動(dòng)狀态时(shí)）進(jìn)行預充電(diàn)，前(qián)者(zhě)需要(yào)提(tí)供L-Bank的(de)地(dì)址，後(hòu)者(zhě)只(zhī)需将A10信(xìn)号(hào)置于(yú)高(gāo)電(diàn)平。在(zài)發(fà)出(chū)預充電(diàn)命令之後(hòu)，要(yào)經(jīng)过(guò)一(yī)段(duàn)时(shí)間(jiān)才能(néng)允许發(fà)送RAS行有(yǒu)效命令打(dǎ)開(kāi)新的(de)工作行，这(zhè)个(gè)間(jiān)隔被(bèi)稱为(wèi)tRP（Precharge command Period，預充電(diàn)有(yǒu)效周期(qī)），單位是(shì)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)數，具體(tǐ)值視时(shí)鐘(zhōng)頻率而(ér)定(dìng)。在(zài)实際的(de)設計(jì)中(zhōng)，我(wǒ)们(men)通(tòng)常設計(jì)讓芯片(piàn)每次(cì)读(dú)写操作後(hòu)，自(zì)動(dòng)進(jìn)行預充電(diàn)。这(zhè)樣(yàng)設計(jì)时(shí)就(jiù)不(bù)需要(yào)再單独考慮預充電(diàn)的(de)影響，只(zhī)需要(yào)等待幾(jǐ)个(gè)时(shí)間(jiān)周期(qī)即可(kě)。
图(tú)6 读(dú)數據(jù)預充電(diàn)时(shí)序
上(shàng)图(tú)是(shì)突發(fà)长度(dù)設置为(wèi)4、列選通(tòng)潛伏期(qī)設置为(wèi)2时(shí)，設置單独預充電(diàn)命令下(xià)的(de)时(shí)序图(tú)。可(kě)以(yǐ)看(kàn)出(chū)，當行激活後(hòu)，需要(yào)两(liǎng)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)的(de)等待时(shí)間(jiān)（tRCD）接收(shōu)读(dú)命令，SDRAM在(zài)接收(shōu)读(dú)命令时(shí)A10拉低，即此(cǐ)时(shí)不(bù)允许預充電(diàn)，在(zài)SDRAM接收(shōu)到(dào)預充電(diàn)命令的(de)时(shí)候才会(huì)進(jìn)入(rù)預充電(diàn)狀态。當接收(shōu)到(dào)读(dú)命令後(hòu)，經(jīng)过(guò)两(liǎng)个(gè)周期(qī)的(de)列地(dì)址選通(tòng)（CAS）潛伏期(qī)從DQ數據(jù)線(xiàn)連(lián)續读(dú)出(chū)4个(gè)數據(jù)。在(zài)預充電(diàn)命令下(xià)，地(dì)址線(xiàn)A10拉高(gāo)，SDRAM中(zhōng)所(suǒ)有(yǒu)L-Bank進(jìn)入(rù)預充電(diàn)狀态，從接收(shōu)到(dào)行激活命令到(dào)接收(shōu)預充電(diàn)命令之間(jiān)的(de)时(shí)間(jiān)間(jiān)隔就(jiù)是(shì)列選通(tòng)脈沖拉高(gāo)的(de)周期(qī)數，從接收(shōu)一(yī)个(gè)行激活命令到(dào)接收(shōu)下(xià)一(yī)个(gè)行激活命令之間(jiān)的(de)間(jiān)隔叫做tRC。
