就(jiù)在(zài)半導體(tǐ)大廠(chǎng)持(chí)續高(gāo)呼摩爾定(dìng)律(Moore’s Law)依然有(yǒu)效、适用(yòng)时(shí),其实背後(hòu)有(yǒu)着不(bù)为(wèi)人(rén)知的(de)事(shì)实!理論上(shàng)每18至(zhì)24个(gè)月(yuè)能(néng)在(zài)相同(tóng)的(de)單位面(miàn)積內(nèi)多(duō)擠入(rù)一(yī)倍的(de)晶體(tǐ)管(guǎn)數,这(zhè)意(yì)味着電(diàn)路(lù)成(chéng)本(běn)每18至(zhì)24个(gè)月(yuè)就(jiù)可(kě)以(yǐ)減半,但这(zhè)只(zhī)是(shì)指裸晶(Die)的(de)成(chéng)本(běn),并不(bù)表(biǎo)示整个(gè)芯片(piàn)的(de)成(chéng)本(běn)都減半,然而(ér)也(yě)要(yào)最(zuì)終(zhōng)成(chéng)品的(de)良率必須維持(chí)才能(néng)算數。
不(bù)能(néng)随摩爾定(dìng)律而(ér)縮減的(de)成(chéng)本(běn),包(bāo)括晶圆(yuán)制造更(gèng)前(qián)端的(de)掩膜(Mask)成(chéng)本(běn),以(yǐ)及(jí)晶圆(yuán)制造更(gèng)後(hòu)端的(de)封(fēng)裝(zhuāng)(也(yě)稱为(wèi):構裝(zhuāng)、包(bāo)裝(zhuāng))成(chéng)本(běn).
用(yòng)低廉勞力来(lái)降低封(fēng)裝(zhuāng)成(chéng)本(běn)
先(xiān)说(shuō)明(míng)封(fēng)裝(zhuāng)成(chéng)本(běn),每生(shēng)産一(yī)颗(kē)芯片(piàn)都需要(yào)一(yī)个(gè)芯片(piàn)封(fēng)裝(zhuāng),理論上(shàng)摩爾定(dìng)律讓芯片(piàn)面(miàn)積縮小,連(lián)带(dài)的(de)封(fēng)裝(zhuāng)上(shàng)的(de)面(miàn)積用(yòng)料也(yě)可(kě)以(yǐ)減少(shǎo),所(suǒ)以(yǐ)封(fēng)裝(zhuāng)成(chéng)本(běn)也(yě)可(kě)以(yǐ)減少(shǎo),但实際上(shàng)不(bù)然,事(shì)实是(shì):芯片(piàn)一(yī)方(fāng)面(miàn)縮小面(miàn)積,另(lìng)一(yī)方(fāng)面(miàn)也(yě)讓電(diàn)路(lù)更(gèng)加複雜,所(suǒ)需要(yào)的(de)接脚數目增加,同(tóng)时(shí)電(diàn)路(lù)更(gèng)縮密後(hòu)其用(yòng)電(diàn)量(liàng)相同(tóng),發(fà)热(rè)量(liàng)也(yě)相同(tóng),但卻只(zhī)能(néng)用(yòng)更(gèng)小的(de)面(miàn)積来(lái)散(sàn)热(rè)。
因(yīn)此(cǐ),封(fēng)裝(zhuāng)无法随裸晶面(miàn)積一(yī)同(tóng)縮小,反(fǎn)而(ér)裸晶縮小後(hòu)産生(shēng)更(gèng)多(duō)難題(tí)需面(miàn)对(duì)!包(bāo)括置入(rù)更(gèng)多(duō)數目的(de)接脚、更(gèng)佳的(de)散(sàn)热(rè)性(xìng)等,所(suǒ)以(yǐ)封(fēng)裝(zhuāng)需要(yào)投入(rù)更(gèng)多(duō)研發(fà)資源,另(lìng)外(wài)封(fēng)裝(zhuāng)用(yòng)料成(chéng)本(běn)也(yě)必然因(yīn)此(cǐ)增加,從过(guò)去(qù)簡單的(de)樹(shù)脂材質(zhì),到(dào)之後(hòu)的(de)陶瓷材質(zhì),以(yǐ)及(jí)更(gèng)之後(hòu)的(de)BGA封(fēng)裝(zhuāng)、覆晶封(fēng)裝(zhuāng)、IC载板等,封(fēng)裝(zhuāng)的(de)技術(shù)與(yǔ)成(chéng)本(běn)都在(zài)逐步提(tí)高(gāo)。
不(bù)过(guò),歐美半導體(tǐ)大廠(chǎng)既然在(zài)晶圆(yuán)制造上(shàng)因(yīn)摩爾定(dìng)律而(ér)獲得了(le)成(chéng)本(běn)精省(shěng),也(yě)必須正(zhèng)視封(fēng)裝(zhuāng)成(chéng)本(běn)居高(gāo)不(bù)下(xià)的(de)新問(wèn)題(tí),为(wèi)了(le)保有(yǒu)産品價格优勢,歐美業者(zhě)積极(jí)将封(fēng)测廠(chǎng)移至(zhì)海外(wài),特(tè)别是(shì)移至(zhì)勞力成(chéng)本(běn)低廉的(de)地(dì)方(fāng),过(guò)去(qù)是(shì)移至(zhì)南(nán)韓、台(tái)湾、泰國(guó)、马来(lái)西(xī)亞,但近(jìn)年(nián)来(lái)則再度(dù)遷移,遷至(zhì)中(zhōng)國(guó)內(nèi)地(dì)、越南(nán)、東(dōng)歐,透过(guò)低廉勞力讓芯片(piàn)封(fēng)裝(zhuāng)成(chéng)本(běn)降低。
掩膜成(chéng)本(běn)成(chéng)指數性(xìng)上(shàng)升(shēng)
封(fēng)裝(zhuāng)成(chéng)本(běn)可(kě)以(yǐ)倚賴低價勞動(dòng)力来(lái)降低,那(nà)麼(me)更(gèng)前(qián)端的(de)掩膜方(fāng)面(miàn)呢?很不(bù)幸的(de),掩膜无法如(rú)封(fēng)裝(zhuāng)一(yī)樣(yàng)用(yòng)低價勞力来(lái)壓低成(chéng)本(běn),相反(fǎn)的(de),随着晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)更(gèng)縮密化(huà),工藝的(de)更(gèng)先(xiān)進(jìn)化(huà),掩膜的(de)開(kāi)設成(chéng)本(běn)卻只(zhī)会(huì)呈現(xiàn)指數性(xìng)攀升(shēng),130nm(納米(mǐ),中(zhōng)國(guó)內(nèi)地(dì)方(fāng)面(miàn)稱为(wèi):納米(mǐ))工藝縮密成(chéng)90nm後(hòu),晶圆(yuán)上(shàng)的(de)電(diàn)路(lù)成(chéng)本(běn)可(kě)以(yǐ)縮減一(yī)半,但掩膜成(chéng)本(běn)卻是(shì)要(yào)增加數倍。
所(suǒ)幸掩膜的(de)開(kāi)設次(cì)數并不(bù)多(duō),掩膜建立一(yī)次(cì)後(hòu),可(kě)随着日(rì)後(hòu)芯片(piàn)的(de)大量(liàng)量(liàng)産而(ér)分(fēn)攤最(zuì)初建置掩膜的(de)成(chéng)本(běn),當産量(liàng)高(gāo)到(dào)一(yī)定(dìng)的(de)規模數量(liàng)後(hòu),掩膜成(chéng)本(běn)就(jiù)能(néng)均攤到(dào)機(jī)近(jìn)于(yú)零(líng),所(suǒ)以(yǐ)即便掩膜因(yīn)工藝提(tí)升(shēng)而(ér)增加成(chéng)本(běn),也(yě)不(bù)用(yòng)过(guò)于(yú)在(zài)意(yì)。
但是(shì),運用(yòng)量(liàng)産来(lái)均攤掩膜成(chéng)本(běn)的(de)作法已經(jīng)愈来(lái)愈不(bù)可(kě)行,掩膜成(chéng)本(běn)一(yī)次(cì)又一(yī)次(cì)地(dì)倍增,光(guāng)是(shì)一(yī)組130nm的(de)掩膜就(jiù)已經(jīng)破百(bǎi)万(wàn)美元(yuán),但芯片(piàn)的(de)需求量(liàng)、産量(liàng)卻无法呈現(xiàn)倍增需求,以(yǐ)致(zhì)近(jìn)年(nián)来(lái)開(kāi)設新掩膜的(de)件(jiàn)數愈来(lái)愈少(shǎo),從上(shàng)万(wàn)件(jiàn)退(tuì)到(dào)數千(qiān)件(jiàn)。
或(huò)许如(rú)上(shàng)的(de)描述尚不(bù)足以(yǐ)讓人(rén)感(gǎn)受到(dào)嚴酷性(xìng),但從台(tái)湾集成(chéng)電(diàn)路(lù)制造公司(TSMC)蔡力行在(zài)公衆场合曾说(shuō)过(guò)的(de)一(yī)段(duàn)話(huà)就(jiù)更(gèng)能(néng)深刻體(tǐ)会(huì):一(yī)家(jiā)无晶圆(yuán)廠(chǎng)業者(zhě)(Fabless)新設計(jì)的(de)芯片(piàn),在(zài)第(dì)一(yī)次(cì)試制品(Prototype)完成(chéng)後(hòu),若其特(tè)性(xìng)表(biǎo)現(xiàn)不(bù)佳後(hòu)将必須修改設計(jì),修改後(hòu)進(jìn)行第(dì)二(èr)次(cì)的(de)試制,如(rú)果(guǒ)第(dì)二(èr)次(cì)試制的(de)表(biǎo)現(xiàn)結果(guǒ)依然不(bù)理想(xiǎng),其实就(jiù)不(bù)用(yòng)進(jìn)行第(dì)三(sān)次(cì)試制了(le),因(yīn)为(wèi)該業者(zhě)的(de)競争对(duì)手(shǒu)已經(jīng)避開(kāi)其失敗經(jīng)验(yàn),一(yī)次(cì)就(jiù)推出(chū)成(chéng)功的(de)芯片(piàn),即便業者(zhě)願意(yì)進(jìn)行第(dì)三(sān)次(cì)嘗試,前(qián)两(liǎng)次(cì)的(de)試制成(chéng)本(běn)已經(jīng)过(guò)高(gāo),这(zhè)些成(chéng)本(běn)都必須轉(zhuǎn)嫁到(dào)第(dì)三(sān)次(cì)的(de)芯片(piàn)上(shàng),未来(lái)就(jiù)算能(néng)量(liàng)産,其芯片(piàn)價格也(yě)難與(yǔ)其它(tā)業者(zhě)競争,與(yǔ)其如(rú)此(cǐ)不(bù)如(rú)不(bù)做。
很明(míng)顯的(de),前(qián)两(liǎng)次(cì)試制都失敗的(de)話(huà),掩膜成(chéng)本(běn)就(jiù)足以(yǐ)讓无晶圆(yuán)廠(chǎng)芯片(piàn)業者(zhě)吃不(bù)消,最(zuì)後(hòu)必然要(yào)退(tuì)出(chū)該芯片(piàn)産品市(shì)场,此(cǐ)後(hòu)除了(le)加碼原有(yǒu)的(de)其它(tā)産品芯片(piàn)外(wài),就(jiù)只(zhī)能(néng)重(zhòng)新嘗試、摸索其它(tā)類(lèi)型的(de)芯片(piàn)市(shì)场。由(yóu)此(cǐ)可(kě)見(jiàn),掩膜成(chéng)本(běn)已成(chéng)为(wèi)极(jí)可(kě)怕的(de)壓力,完全(quán)无法用(yòng)封(fēng)测廠(chǎng)外(wài)移的(de)低價勞力方(fāng)式抒解(jiě)。
掩膜難以(yǐ)因(yīn)應(yìng)Time-To-Market
掩膜不(bù)僅成(chéng)本(běn)节(jié)节(jié)攀升(shēng),更(gèng)麻(má)煩的(de)是(shì)掩膜的(de)開(kāi)設时(shí)間(jiān)无法縮短(duǎn),每次(cì)都需要(yào)數十(shí)天(tiān)的(de)时(shí)間(jiān),然而(ér)芯片(piàn)市(shì)场已從过(guò)去(qù)的(de)信(xìn)息、通(tòng)訊市(shì)场轉(zhuǎn)移至(zhì)消費性(xìng)電(diàn)子市(shì)场,过(guò)去(qù)資通(tòng)訊芯片(piàn)的(de)特(tè)點(diǎn)是(shì)少(shǎo)樣(yàng)多(duō)量(liàng),相同(tóng)一(yī)致(zhì)的(de)芯片(piàn)需求量(liàng)极(jí)高(gāo),開(kāi)設一(yī)次(cì)掩膜後(hòu)可(kě)使用(yòng)很久,并量(liàng)産出(chū)极(jí)多(duō)芯片(piàn),相对(duì)的(de)消費性(xìng)電(diàn)子的(de)特(tè)性(xìng)是(shì)少(shǎo)量(liàng)多(duō)樣(yàng)(變(biàn)化(huà)多(duō))、變(biàn)化(huà)快(kuài)速,掩膜使用(yòng)一(yī)段(duàn)时(shí)間(jiān)後(hòu)就(jiù)必須因(yīn)應(yìng)市(shì)场的(de)改變(biàn)而(ér)修改電(diàn)路(lù),使整組掩膜中(zhōng)有(yǒu)數张(zhāng)掩膜无法适用(yòng),必須重(zhòng)新開(kāi)設。
所(suǒ)以(yǐ),即便掩膜成(chéng)本(běn)沒(méi)有(yǒu)节(jié)节(jié)攀升(shēng),其變(biàn)更(gèng)速度(dù)也(yě)一(yī)樣(yàng)不(bù)适合今日(rì)的(de)芯片(piàn)市(shì)场,因(yīn)此(cǐ)许多(duō)无晶圆(yuán)廠(chǎng)業者(zhě)已逐漸舍棄使用(yòng)ASIC(用(yòng)掩膜方(fāng)式投産的(de)芯片(piàn)),而(ér)用(yòng)FPGA来(lái)推出(chū)其設計(jì)的(de)芯片(piàn)。
FPGA從麻(má)雀到(dào)鳳凰
FPGA并非(fēi)是(shì)近(jìn)年(nián)来(lái)才有(yǒu)的(de),FPGA一(yī)词于(yú)1984年(nián)就(jiù)已經(jīng)出(chū)現(xiàn),至(zhì)今已經(jīng)超过(guò)20年(nián)以(yǐ)上(shàng)的(de)时(shí)間(jiān),不(bù)过(guò)过(guò)去(qù)十(shí)多(duō)年(nián)时(shí)間(jiān)內(nèi)FPGA都未受到(dào)太多(duō)的(de)重(zhòng)視,原因(yīn)是(shì)FPGA的(de)功耗用(yòng)電(diàn)、電(diàn)路(lù)密度(dù)、頻率效能(néng)、電(diàn)路(lù)成(chéng)本(běn)等都不(bù)如(rú)ASIC,在(zài)这(zhè)十(shí)多(duō)年(nián)时(shí)間(jiān)內(nèi),FPGA多(duō)半只(zhī)用(yòng)在(zài)一(yī)些特(tè)殊領域,例如(rú)芯片(piàn)業者(zhě)針(zhēn)对(duì)新産品测試市(shì)场反(fǎn)應(yìng),即便初期(qī)産品未达(dá)量(liàng)産規模,也(yě)能(néng)先(xiān)以(yǐ)FPGA制成(chéng)産品测試。
或(huò)者(zhě)有(yǒu)些芯片(piàn)設計(jì)公司承接了(le)小型的(de)設計(jì)項目,在(zài)量(liàng)産規模不(bù)足下(xià)也(yě)一(yī)樣(yàng)使用(yòng)FPGA,或(huò)如(rú)政(zhèng)府、军方(fāng)的(de)特(tè)殊要(yào)求,不(bù)期(qī)望使用(yòng)開(kāi)放(fàng)、标(biāo)準性(xìng)的(de)芯片(piàn)與(yǔ)電(diàn)路(lù),也(yě)会(huì)傾向(xiàng)使用(yòng)FPGA。
不(bù)过(guò)如(rú)前(qián)所(suǒ)述的(de),在(zài)愈来(lái)愈多(duō)芯片(piàn)无法用(yòng)開(kāi)設掩膜模式投産後(hòu),这(zhè)些芯片(piàn)一(yī)樣(yàng)要(yào)上(shàng)市(shì),就(jiù)只(zhī)好(hǎo)以(yǐ)FPGA模式来(lái)生(shēng)産。所(suǒ)幸FPGA也(yě)受益于(yú)摩爾定(dìng)律,在(zài)工藝技術(shù)不(bù)斷提(tí)升(shēng)下(xià),晶體(tǐ)管(guǎn)愈来(lái)愈縮密化(huà),原本(běn)相較ASIC遜色(sè)的(de)電(diàn)路(lù)密度(dù)过(guò)低、頻率效能(néng)过(guò)低、電(diàn)路(lù)成(chéng)本(běn)过(guò)高(gāo)等問(wèn)題(tí),在(zài)新一(yī)代(dài)FPGA上(shàng),早(zǎo)已拉近(jìn)與(yǔ)ASIC間(jiān)的(de)表(biǎo)現(xiàn)差距。
△图(tú)说(shuō):FPGA的(de)功耗用(yòng)電(diàn)表(biǎo)現(xiàn)愈来(lái)愈受到(dào)關(guān)注,因(yīn)此(cǐ)美國(guó)國(guó)家(jiā)半導體(tǐ)公司(National Semiconductor;NS)針(zhēn)对(duì)Xilinx公司的(de)FPGA及(jí)CPLD提(tí)出(chū)了(le)電(diàn)源設計(jì)工具:Power Expert,運用(yòng)工作可(kě)加速FPGA應(yìng)用(yòng)電(diàn)路(lù)的(de)電(diàn)源設計(jì)。
△图(tú)说(shuō):AMI Semiconductor推行ASIC(Cell型)及(jí)Structured ASIC(結構化(huà)ASIC),其中(zhōng)結構化(huà)ASIC以(yǐ)XpressArray-II(簡稱:XPA-II)之名推行,XPA-II以(yǐ)150nm工藝制造,工作頻率最(zuì)高(gāo)至(zhì)500MHz,并整合390万(wàn)个(gè)ASIC邏輯閘及(jí)480万(wàn)位的(de)內(nèi)存。
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△图(tú)说(shuō):QuickLogic于(yú)2005年(nián)發(fà)表(biǎo)、2006年(nián)量(liàng)産的(de)FPGA芯片(piàn):PolarPro系(xì)列,PolarPro可(kě)進(jìn)行一(yī)次(cì)性(xìng)的(de)可(kě)程序化(huà),并具有(yǒu)极(jí)低的(de)運作用(yòng)電(diàn)。图(tú)中(zhōng)是(shì)PolarPro芯片(piàn)與(yǔ)铅(qiān)笔(bǐ)笔(bǐ)尖的(de)體(tǐ)積比較。
△图(tú)说(shuō):QuickLogic最(zuì)新推出(chū)的(de)ArcticLink系(xì)列芯片(piàn)。ArcticLink除了(le)與(yǔ)FPGA一(yī)樣(yàng)具有(yǒu)可(kě)程序化(huà)的(de)電(diàn)路(lù)外(wài),還(huán)內(nèi)建了(le)USB 2.0 HS OTG、SD/SDIO、MMC、CE-ATA等接口(kǒu),以(yǐ)及(jí)USB实體(tǐ)接口(kǒu)及(jí)处理器接口(kǒu)。QuickLogic以(yǐ)CSSP(Customer Specific Standard Product)訴求来(lái)推行ArcticLink。
正(zhèng)因(yīn)如(rú)此(cǐ),近(jìn)年(nián)来(lái)FPGA不(bù)斷搶食ASIC市(shì)场,迫使ASIC業者(zhě)不(bù)得不(bù)推出(chū)策略因(yīn)應(yìng),最(zuì)顯著的(de)策略就(jiù)是(shì)提(tí)出(chū)結構化(huà)ASIC(Structured ASIC),或(huò)者(zhě)也(yě)稱为(wèi)平台(tái)化(huà)ASIC(Platform ASIC),結構化(huà)/平台(tái)化(huà)ASIC,期(qī)望通(tòng)过(guò)減少(shǎo)重(zhòng)新開(kāi)設的(de)掩膜數、減少(shǎo)電(diàn)路(lù)修改成(chéng)本(běn)及(jí)时(shí)間(jiān),使芯片(piàn)可(kě)以(yǐ)更(gèng)早(zǎo)上(shàng)市(shì)。
不(bù)能(néng)完全(quán)免除掩膜的(de)使用(yòng),加上(shàng)配套(tào)的(de)設計(jì)工具(EDA)與(yǔ)已有(yǒu)數十(shí)年(nián)運用(yòng)的(de)ASIC、FPGA相比,明(míng)顯不(bù)够完備,後(hòu)勢發(fà)展(zhǎn)與(yǔ)市(shì)场接受度(dù)尚待时(shí)間(jiān)考验(yàn)。特(tè)别是(shì)LSI Logic(巨積科技)、NEC Electronics(恩益禧電(diàn)子)等大廠(chǎng)紛紛退(tuì)出(chū)後(hòu),結構化(huà)ASIC的(de)推行气(qì)勢就(jiù)更(gèng)为(wèi)薄弱(ruò)。
當然,FPGA因(yīn)掩膜成(chéng)本(běn)攀升(shēng)以(yǐ)及(jí)摩爾定(dìng)律而(ér)逐漸走(zǒu)俏,成(chéng)本(běn)、效能(néng)等特(tè)性(xìng)表(biǎo)現(xiàn)也(yě)逐漸改善,但依然有(yǒu)一(yī)點(diǎn)是(shì)FPGA持(chí)續低弱(ruò)的(de),那(nà)就(jiù)是(shì)功耗用(yòng)電(diàn)。就(jiù)一(yī)般而(ér)言,要(yào)实現(xiàn)相同(tóng)的(de)功效電(diàn)路(lù),用(yòng)FPGA手(shǒu)法实現(xiàn)的(de)功耗用(yòng)電(diàn)是(shì)ASIC手(shǒu)法的(de)15倍之高(gāo)。
功耗用(yòng)電(diàn)依然是(shì)FPGA的(de)罩(zhào)門(mén)
FPGA虽積极(jí)使用(yòng)最(zuì)先(xiān)進(jìn)的(de)工藝技術(shù)提(tí)升(shēng)效能(néng)、降低成(chéng)本(běn),但工藝日(rì)益縮密的(de)結果(guǒ)是(shì):晶體(tǐ)管(guǎn)的(de)漏電(diàn)流(Leakage Current)愈来(lái)愈大,包(bāo)括從源极(jí)(Source)到(dào)汲极(jí)(Drain)之間(jiān)的(de)電(diàn)流漏往基极(jí)(Body),也(yě)包(bāo)括閘极(jí)(Gate)直(zhí)接漏至(zhì)基极(jí)。
關(guān)于(yú)此(cǐ)目前(qián)半導體(tǐ)業界也(yě)提(tí)出(chū)各(gè)種(zhǒng)漏電(diàn)防制之道(dào),例如(rú)IBM提(tí)出(chū)矽絕緣(SOI)技術(shù),可(kě)減少(shǎo)源极(jí)通(tòng)往汲极(jí)間(jiān)的(de)漏電(diàn),或(huò)如(rú)Intel于(yú)2007年(nián)11月(yuè)發(fà)表(biǎo)的(de)高(gāo)介電(diàn)質(zhì)金(jīn)屬閘极(jí)技術(shù),則可(kě)減少(shǎo)閘极(jí)的(de)漏電(diàn)。
不(bù)过(guò),FPGA本(běn)身(shēn)因(yīn)具備可(kě)程序化(huà)的(de)天(tiān)性(xìng),其邏輯閘電(diàn)路(lù)用(yòng)量(liàng)必然高(gāo)于(yú)ASIC,因(yīn)此(cǐ)其功耗用(yòng)電(diàn)确实很難收(shōu)斂,以(yǐ)致(zhì)于(yú)到(dào)今天(tiān)为(wèi)止,凡是(shì)以(yǐ)電(diàn)池運作的(de)手(shǒu)持(chí)式應(yìng)用(yòng)都无法使用(yòng)FPGA,至(zhì)多(duō)是(shì)使用(yòng)邏輯閘數目較少(shǎo)的(de)CPLD。而(ér)根(gēn)據(jù)研究調查機(jī)構iSuppli的(de)推論:如(rú)果(guǒ)FPGA因(yīn)功耗用(yòng)電(diàn)的(de)改善而(ér)能(néng)用(yòng)于(yú)手(shǒu)持(chí)式應(yìng)用(yòng)的(de)話(huà),則FPGA的(de)市(shì)场将可(kě)能(néng)再增加30亿(yì)美元(yuán)。也(yě)因(yīn)为(wèi)如(rú)此(cǐ),現(xiàn)在(zài)FPGA業者(zhě)都以(yǐ)減少(shǎo)FPGA用(yòng)電(diàn)为(wèi)研發(fà)目标(biāo)。
近(jìn)年(nián)来(lái)的(de)FPGA市(shì)场發(fà)展(zhǎn)
了(le)解(jiě)FPGA的(de)近(jìn)年(nián)来(lái)發(fà)展(zhǎn)後(hòu),最(zuì)後(hòu)也(yě)必須了(le)解(jiě)一(yī)下(xià)FPGA業者(zhě)的(de)發(fà)展(zhǎn)趨勢,事(shì)实上(shàng)90年(nián)代(dài)後(hòu)期(qī)FPGA市(shì)场就(jiù)已經(jīng)过(guò)一(yī)番(fān)激烈整合,许多(duō)業者(zhě)不(bù)是(shì)退(tuì)出(chū)PLD(可(kě)程序化(huà)邏輯裝(zhuāng)置)市(shì)场,就(jiù)是(shì)出(chū)售其PLD業务部(bù)門(mén),或(huò)将PLD業务部(bù)門(mén)分(fēn)立成(chéng)独立公司,或(huò)進(jìn)行購并等。
时(shí)至(zhì)今日(rì),FPGA市(shì)场的(de)主(zhǔ)要(yào)業者(zhě)僅剩數家(jiā),包(bāo)括Altera、Xilinx(赛靈思(sī),过(guò)去(qù)稱为(wèi):智霖科技)、Actel、Atmel、Lattice、QuickLogic等,不(bù)过(guò)2007年(nián)11月(yuè)QuickLogic也(yě)确定(dìng)淡出(chū)FPGA市(shì)场,并轉(zhuǎn)進(jìn)發(fà)展(zhǎn)CSSP(Customer Specific Standard Product),甚至(zhì)QuickLogic公司的(de)總(zǒng)裁、主(zhǔ)席(xí)、執行长(中(zhōng)國(guó)內(nèi)地(dì)方(fāng)面(miàn)稱为(wèi):首席(xí)執行官,或(huò)首席(xí)行政(zhèng)官)E. Thomas Hart就(jiù)直(zhí)言:Altera與(yǔ)Xilinx已經(jīng)成(chéng)为(wèi)FPGA領域的(de)「可(kě)口(kǒu)可(kě)乐(lè)」與(yǔ)「百(bǎi)事(shì)可(kě)乐(lè)」。言下(xià)之意(yì)就(jiù)是(shì),除此(cǐ)之外(wài)第(dì)三(sān)家(jiā)FPGA業者(zhě),很難有(yǒu)竄头(tóu)的(de)機(jī)会(huì)。
話(huà)虽如(rú)此(cǐ),但FPGA領域依然有(yǒu)新興業者(zhě)出(chū)現(xiàn),例如(rú)Achronix Semiconductor、MathStar等。且除了(le)單純數字(zì)邏輯性(xìng)質(zhì)的(de)可(kě)程序邏輯裝(zhuāng)置外(wài),混訊、模拟性(xìng)質(zhì)的(de)可(kě)程序邏輯裝(zhuāng)置也(yě)展(zhǎn)露(lù)头(tóu)角(jiǎo),例如(rú)Cypress Semiconductor的(de)PSoC(Programmable System-on-Chip)即具有(yǒu)可(kě)組态性(xìng)的(de)混訊電(diàn)路(lù),或(huò)如(rú)Actel公司也(yě)提(tí)出(chū)可(kě)程序化(huà)的(de)混訊芯片(piàn):Fusion,或(huò)者(zhě)也(yě)有(yǒu)業者(zhě)提(tí)出(chū)所(suǒ)謂的(de)現(xiàn)场可(kě)程序化(huà)模拟數組(Field Programmable Analog Array;FPAA)等,相信(xìn)这(zhè)些都能(néng)为(wèi)可(kě)程序化(huà)芯片(piàn)带(dài)来(lái)更(gèng)多(duō)的(de)發(fà)展(zhǎn)動(dòng)能(néng)。















