1、電(diàn)源半導體(tǐ)組成(chéng)部(bù)分(fēn)
電(diàn)源管(guǎn)理半導體(tǐ)從所(suǒ)包(bāo)含的(de)器件(jiàn)来(lái)说(shuō)，明(míng)确強(qiáng)調電(diàn)源管(guǎn)理集成(chéng)電(diàn)路(lù)(電(diàn)源管(guǎn)理IC，簡稱電(diàn)源管(guǎn)理芯片(piàn))的(de)位置和(hé)作用(yòng)。電(diàn)源管(guǎn)理半導體(tǐ)包(bāo)括两(liǎng)部(bù)分(fēn)，即電(diàn)源管(guǎn)理集成(chéng)電(diàn)路(lù)和(hé)電(diàn)源管(guǎn)理分(fēn)立式半導體(tǐ)器件(jiàn)。
2、電(diàn)源半導體(tǐ)芯片(piàn)分(fēn)類(lèi)
電(diàn)源管(guǎn)理集成(chéng)電(diàn)路(lù)包(bāo)括很多(duō)種(zhǒng)類(lèi)别，大致(zhì)又分(fēn)成(chéng)電(diàn)壓調整和(hé)接口(kǒu)電(diàn)路(lù)两(liǎng)方(fāng)面(miàn)。電(diàn)壓凋整器包(bāo)含線(xiàn)性(xìng)低壓降稳壓器(即LDO)，以(yǐ)及(jí)正(zhèng)、負輸出(chū)系(xì)列電(diàn)路(lù)，此(cǐ)外(wài) 還(huán)有(yǒu)脈宽(kuān)調制(PWM)型的(de)開(kāi)關(guān)型電(diàn)路(lù)等。因(yīn)技術(shù)進(jìn)步，集成(chéng)電(diàn)路(lù)芯片(piàn)內(nèi)數字(zì)電(diàn)路(lù)的(de)物(wù)理尺寸(cùn)越来(lái)越小，因(yīn)而(ér)工作電(diàn)源向(xiàng)低電(diàn)壓發(fà)展(zhǎn)，一(yī)系(xì)列新型電(diàn)壓調整器應(yìng)運 而(ér)生(shēng)。電(diàn)源管(guǎn)理用(yòng)接口(kǒu)電(diàn)路(lù)主(zhǔ)要(yào)有(yǒu)接口(kǒu)驅動(dòng)器、马达(dá)驅動(dòng)器、功率场效應(yìng)晶體(tǐ)管(guǎn)(MOSFET)驅動(dòng)器以(yǐ)及(jí)高(gāo)電(diàn)壓/大電(diàn)流的(de)顯示驅動(dòng)器等等。電(diàn)源管(guǎn)理分(fēn)立式半導體(tǐ)器件(jiàn)則包(bāo)括一(yī)些傳統的(de)功率半導體(tǐ)器件(jiàn)，可(kě)将它(tā)分(fēn)为(wèi)两(liǎng)大類(lèi)，一(yī)類(lèi)包(bāo)含整流器和(hé)晶閘管(guǎn);另(lìng)一(yī)類(lèi)是(shì)三(sān)极(jí)管(guǎn)型，包(bāo)含功率双(shuāng)极(jí)性(xìng)晶體(tǐ)管(guǎn)，含有(yǒu)MOS結構的(de)功率场效應(yìng)晶體(tǐ)管(guǎn)(MOSFET)和(hé)絕緣栅双(shuāng)极(jí)型晶體(tǐ)管(guǎn)(IGBT)等。
在(zài)某種(zhǒng)程度(dù)上(shàng)来(lái)说(shuō)，正(zhèng)是(shì)因(yīn)为(wèi)電(diàn)源管(guǎn)理IC的(de)大量(liàng)發(fà)展(zhǎn)，功率半導體(tǐ)才改稱为(wèi)電(diàn)源管(guǎn)理半導體(tǐ)。也(yě)正(zhèng)是(shì)因(yīn)为(wèi)这(zhè)麼(me)多(duō)的(de)集成(chéng)電(diàn)路(lù)(IC)進(jìn)入(rù)電(diàn)源領域，人(rén)们(men)才更(gèng)多(duō)地(dì)以(yǐ)電(diàn)源管(guǎn)理来(lái)稱呼現(xiàn)階(jiē)段(duàn)的(de)電(diàn)源技術(shù)。
3、電(diàn)源管(guǎn)理半導體(tǐ)種(zhǒng)類(lèi)
電(diàn)源管(guǎn)理半導體(tǐ)本(běn)中(zhōng)的(de)主(zhǔ)導部(bù)分(fēn)是(shì)電(diàn)源管(guǎn)理IC，大致(zhì)可(kě)歸納为(wèi)下(xià)述8種(zhǒng)。1、AC/DC調制IC。內(nèi)含低電(diàn)壓控制電(diàn)路(lù)及(jí)高(gāo)壓開(kāi)關(guān)晶體(tǐ)管(guǎn)。
2、DC/DC調制IC。包(bāo)括升(shēng)壓/降壓調节(jié)器，以(yǐ)及(jí)電(diàn)荷泵。
3、功率因(yīn)數控制PFC預調制 IC。提(tí)供具有(yǒu)功率因(yīn)數校(xiào)正(zhèng)功能(néng)的(de)電(diàn)源輸入(rù)電(diàn)路(lù)。
4、脈沖調制或(huò)脈幅調制PWM/ PFM控制IC。为(wèi)脈沖頻率調制和(hé)/或(huò)脈沖宽(kuān)度(dù)調制控制器，用(yòng)于(yú)驅動(dòng)外(wài)部(bù)開(kāi)關(guān)。
5、線(xiàn)性(xìng)調制IC(如(rú)線(xiàn)性(xìng)低壓降稳壓器LDO等)。包(bāo)括正(zhèng)向(xiàng)和(hé)負向(xiàng)調节(jié)器，以(yǐ)及(jí)低壓降LDO調制管(guǎn)。
6、電(diàn)池充電(diàn)和(hé)管(guǎn)理IC。包(bāo)括電(diàn)池充電(diàn)、保護及(jí)電(diàn)量(liàng)顯示IC，以(yǐ)及(jí)可(kě)進(jìn)行電(diàn)池數據(jù)通(tòng)訊“智能(néng)”電(diàn)池 IC。
7、热(rè)插板控制IC(免除從工作系(xì)統中(zhōng)插入(rù)或(huò)拔除另(lìng)一(yī)接口(kǒu)的(de)影響)。
8、MOSFET或(huò)IGBT的(de)開(kāi)關(guān)功能(néng)ic。
在(zài)这(zhè)些電(diàn)源管(guǎn)理IC中(zhōng)，電(diàn)壓調节(jié)IC是(shì)發(fà)展(zhǎn)最(zuì)快(kuài)、産量(liàng)最(zuì)大的(de)一(yī)部(bù)分(fēn)。各(gè)種(zhǒng)電(diàn)源管(guǎn)理IC基本(běn)上(shàng)和(hé)一(yī)些相關(guān)的(de)應(yìng)用(yòng)相聯系(xì)，所(suǒ)以(yǐ)針(zhēn)对(duì)不(bù)同(tóng)應(yìng)用(yòng)，還(huán)可(kě)以(yǐ)列出(chū)更(gèng)多(duō)類(lèi)型的(de)器件(jiàn)。
電(diàn)源管(guǎn)理的(de)技術(shù)趨勢是(shì)高(gāo)效能(néng)、低功耗、智能(néng)化(huà)。
提(tí)高(gāo)效能(néng)涉及(jí)两(liǎng)个(gè)不(bù)同(tóng)方(fāng)面(miàn)的(de)內(nèi)容：一(yī)方(fāng)面(miàn)想(xiǎng)要(yào)保持(chí)能(néng)量(liàng)轉(zhuǎn)換的(de)綜合效率，同(tóng)时(shí)還(huán)希望減小設備的(de)尺寸(cùn);另(lìng)一(yī)方(fāng)面(miàn)是(shì)保護尺寸(cùn)不(bù)變(biàn)，大幅度(dù)提(tí)高(gāo)效能(néng)。
在(zài)交流/直(zhí)流(AC/DC)變(biàn)換中(zhōng)，低的(de)通(tòng)态電(diàn)阻，符合計(jì)算機(jī)和(hé)電(diàn)信(xìn)應(yìng)用(yòng)中(zhōng)更(gèng)加高(gāo)效适配器和(hé)電(diàn)源的(de)需要(yào)。在(zài)電(diàn)源電(diàn)路(lù)設計(jì)方(fāng)面(miàn)，一(yī)般待機(jī)能(néng)耗已經(jīng)降到(dào)1W以(yǐ)下(xià)，并可(kě)将電(diàn)源效率提(tí)高(gāo)至(zhì)90%以(yǐ)上(shàng)。要(yào)進(jìn)一(yī)步降低現(xiàn)有(yǒu)待機(jī)能(néng)耗，則需要(yào)有(yǒu)新的(de)IC制造工藝技術(shù)及(jí)在(zài)低功耗電(diàn)路(lù)設計(jì)方(fāng)面(miàn)的(de)突破。
