1.1.1 概述
同(tóng)步動(dòng)态随機(jī)存取(qǔ)內(nèi)存（synchronousdynamic randon-access menory，簡稱SDRAM）是(shì)有(yǒu)一(yī)个(gè)同(tóng)步接口(kǒu)的(de)動(dòng)态随機(jī)存取(qǔ)內(nèi)存（DRAM）。通(tòng)常DRAM是(shì)有(yǒu)一(yī)个(gè)异(yì)步接口(kǒu)的(de)，这(zhè)樣(yàng)它(tā)可(kě)以(yǐ)随时(shí)響應(yìng)控制輸入(rù)的(de)變(biàn)化(huà)。而(ér)SDRAM有(yǒu)一(yī)个(gè)同(tóng)步接口(kǒu)，在(zài)響應(yìng)控制輸入(rù)前(qián)会(huì)等待一(yī)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)信(xìn)号(hào)，这(zhè)樣(yàng)就(jiù)能(néng)和(hé)計(jì)算機(jī)的(de)系(xì)統總(zǒng)線(xiàn)同(tóng)步。时(shí)鐘(zhōng)被(bèi)用(yòng)来(lái)驅動(dòng)一(yī)个(gè)有(yǒu)限狀态機(jī)，对(duì)進(jìn)入(rù)的(de)指令進(jìn)行管(guǎn)線(xiàn)操作。这(zhè)使得SDRAM與(yǔ)沒(méi)有(yǒu)同(tóng)步接口(kǒu)的(de)异(yì)步DRAM相比，可(kě)以(yǐ)有(yǒu)一(yī)个(gè)更(gèng)複雜的(de)操作模式。
管(guǎn)線(xiàn)意(yì)味着芯片(piàn)可(kě)以(yǐ)在(zài)处理完之前(qián)的(de)指令前(qián)，接受一(yī)个(gè)新的(de)指令。在(zài)一(yī)个(gè)写入(rù)的(de)管(guǎn)線(xiàn)中(zhōng)，写入(rù)命令在(zài)另(lìng)一(yī)个(gè)指令執行完之後(hòu)可(kě)以(yǐ)立刻執行，而(ér)不(bù)需要(yào)等到(dào)數據(jù)写入(rù)存儲隊列的(de)时(shí)間(jiān)。在(zài)一(yī)个(gè)读(dú)取(qǔ)的(de)流水(shuǐ)線(xiàn)中(zhōng)，需要(yào)的(de)數據(jù)在(zài)读(dú)取(qǔ)指令發(fà)出(chū)之後(hòu)固定(dìng)數量(liàng)的(de)时(shí)鐘(zhōng)頻率後(hòu)到(dào)达(dá)，而(ér)这(zhè)个(gè)等待的(de)过(guò)程可(kě)以(yǐ)發(fà)出(chū)其他(tā)附加指令。这(zhè)種(zhǒng)延遲被(bèi)稱为(wèi)等待时(shí)間(jiān)（Latency），在(zài)为(wèi)計(jì)算機(jī)購買(mǎi)內(nèi)存时(shí)是(shì)一(yī)个(gè)很重(zhòng)要(yào)的(de)參數。
SDRAM之所(suǒ)以(yǐ)稱为(wèi)DRAM就(jiù)是(shì)因(yīn)为(wèi)他(tā)要(yào)不(bù)斷進(jìn)行刷新才能(néng)保留住數據(jù)，因(yīn)为(wèi)刷新是(shì)DRAM最(zuì)重(zhòng)要(yào)的(de)操作。那(nà)麼(me)要(yào)隔多(duō)长时(shí)間(jiān)重(zhòng)複一(yī)次(cì)刷新，目前(qián)公認的(de)标(biāo)準是(shì)，存儲體(tǐ)中(zhōng)電(diàn)容的(de)數據(jù)有(yǒu)效保存期(qī)上(shàng)限是(shì)64ms，也(yě)就(jiù)是(shì)每一(yī)行刷新的(de)循环(huán)周期(qī)是(shì)64ms。
SDRAM是(shì)多(duō)Bank結構，例如(rú)在(zài)一(yī)个(gè)具有(yǒu)两(liǎng)个(gè)Bank的(de)SDRAM模組中(zhōng)，其中(zhōng)一(yī)个(gè)Bank在(zài)進(jìn)行預充電(diàn)期(qī)間(jiān)，另(lìng)一(yī)个(gè)Bank卻马上(shàng)可(kě)以(yǐ)被(bèi)读(dú)取(qǔ)，这(zhè)樣(yàng)當進(jìn)行一(yī)次(cì)读(dú)取(qǔ)後(hòu)，又马上(shàng)读(dú)取(qǔ)已經(jīng)預充電(diàn)Bank的(de)數據(jù)时(shí)，就(jiù)无需等待而(ér)是(shì)可(kě)以(yǐ)直(zhí)接读(dú)取(qǔ)了(le)，这(zhè)也(yě)就(jiù)大大提(tí)高(gāo)了(le)存儲器的(de)訪問(wèn)速度(dù)
1.1.2 設計(jì)目标(biāo)
設計(jì)SDRAM读(dú)写控制器来(lái)控制開(kāi)發(fà)板上(shàng)的(de)一(yī)片(piàn)SDRAM進(jìn)行读(dú)写數據(jù)的(de)操作，具體(tǐ)功能(néng)要(yào)求如(rú)下(xià)：
1. SDRAM的(de)读(dú)写分(fēn)别由(yóu)两(liǎng)个(gè)按鍵進(jìn)行控制，每按下(xià)一(yī)次(cì)，就(jiù)会(huì)産生(shēng)一(yī)个(gè)读(dú)使能(néng)或(huò)者(zhě)写使能(néng)；
2. SDRAM读(dú)写模式为(wèi)全(quán)页(yè)突發(fà)模式，每次(cì)写入(rù)某个(gè)Bank512个(gè)數據(jù)，在(zài)读(dú)此(cǐ)Bank的(de)时(shí)候，也(yě)應(yìng)該读(dú)出(chū)相同(tóng)的(de)512个(gè)數據(jù)；
3. SDRAM读(dú)写地(dì)址都是(shì)從地(dì)址0開(kāi)始；
4. 通(tòng)过(guò)一(yī)个(gè)按鍵控制读(dú)写SDRAM的(de)Bank地(dì)址，按鍵每按下(xià)一(yī)次(cì)，Bank地(dì)址加1。
1.1.3 系(xì)統結構框图(tú)
系(xì)統結構框图(tú)如(rú)下(xià)图(tú)一(yī)所(suǒ)示：
图(tú)一(yī)
1.1.4模块(kuài)功能(néng)
按鍵檢测模块(kuài)实現(xiàn)功能(néng)
1、 将外(wài)来(lái)异(yì)步信(xìn)号(hào)打(dǎ)两(liǎng)拍处理，将异(yì)步信(xìn)号(hào)同(tóng)步化(huà)。
2、 实現(xiàn)20ms按鍵消抖功能(néng)。
3、 实現(xiàn)矩阵(zhèn)鍵盤或(huò)者(zhě)普通(tòng)案(àn)件(jiàn)的(de)檢测功能(néng)，并輸出(chū)有(yǒu)效按鍵信(xìn)号(hào)。
鎖相环(huán)
1、産生(shēng)工程所(suǒ)需要(yào)的(de)100M时(shí)鐘(zhōng)。
數據(jù)産生(shēng)模块(kuài)实現(xiàn)功能(néng)
1、 通(tòng)过(guò)按鍵控制産生(shēng)读(dú)/写請求。
2、 通(tòng)过(guò)按鍵控制Bank地(dì)址選擇。
3、 産生(shēng)地(dì)址和(hé)写數據(jù)。
SDRAM接口(kǒu)模块(kuài)实現(xiàn)功能(néng)
1、 接收(shōu)上(shàng)遊模块(kuài)發(fà)送的(de)读(dú)/写請求、Bank地(dì)址、行地(dì)址和(hé)写數據(jù)，産生(shēng)SDRAM的(de)控制时(shí)序。
1.1.5頂层信(xìn)号(hào)
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信(xìn)号(hào)名
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系(xì)統工作时(shí)鐘(zhōng) 50M
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系(xì)統複位信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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4位按鍵信(xìn)号(hào)，開(kāi)發(fà)板按鍵为(wèi)矩阵(zhèn)鍵盤时(shí)，不(bù)需要(yào)該信(xìn)号(hào)
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4位矩阵(zhèn)鍵盤列信(xìn)号(hào)，默認高(gāo)電(diàn)平，開(kāi)發(fà)板按鍵为(wèi)普通(tòng)按鍵时(shí)，不(bù)需要(yào)該信(xìn)号(hào)
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4位矩阵(zhèn)鍵盤行信(xìn)号(hào)，默認低電(diàn)平，開(kāi)發(fà)板按鍵为(wèi)普通(tòng)按鍵时(shí)，不(bù)需要(yào)該信(xìn)号(hào)
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SDRAM數據(jù)總(zǒng)線(xiàn)，既能(néng)作为(wèi)數據(jù)輸出(chū)，也(yě)能(néng)作为(wèi)數據(jù)輸入(rù)。
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SDRAM时(shí)鐘(zhōng)使能(néng)信(xìn)号(hào)，決定(dìng)是(shì)否啟用(yòng)clk輸入(rù)，为(wèi)高(gāo)電(diàn)平时(shí)，时(shí)鐘(zhōng)有(yǒu)效。
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SDRAM片(piàn)選信(xìn)号(hào)，決定(dìng)設備內(nèi)是(shì)否啟用(yòng)命令輸入(rù)，當cs为(wèi)低时(shí)啟用(yòng)，當cs为(wèi)高(gāo)时(shí)禁用(yòng)命令輸入(rù)。
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行地(dì)址選通(tòng)信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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列地(dì)址選通(tòng)信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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写使能(néng)信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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數據(jù)掩碼，控制I/O的(de)高(gāo)低字(zì)节(jié)，低電(diàn)平有(yǒu)效。例如(rú)：2’b10，表(biǎo)示數據(jù)高(gāo)字(zì)节(jié)无效，低字(zì)节(jié)有(yǒu)效。
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Bank地(dì)址選擇信(xìn)号(hào)，通(tòng)过(guò)該信(xìn)号(hào)決定(dìng)哪个(gè)Bank正(zhèng)处于(yú)激活、读(dú)、写、預充電(diàn)等命令期(qī)間(jiān)。
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SDRAM輸入(rù)时(shí)鐘(zhōng)，除cke外(wài)，SDRAM的(de)所(suǒ)有(yǒu)輸入(rù)與(yǔ)該引脚的(de)上(shàng)升(shēng)沿同(tóng)步獲得。
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1.1.6三(sān)态門(mén)
由(yóu)于(yú)SDRAM只(zhī)有(yǒu)一(yī)条(tiáo)數據(jù)總(zǒng)線(xiàn)，虽然可(kě)以(yǐ)既當作輸入(rù)，又當作輸出(chū)来(lái)用(yòng)，但是(shì)輸入(rù)和(hé)輸出(chū)是(shì)不(bù)能(néng)同(tóng)时(shí)進(jìn)行的(de)，因(yīn)此(cǐ)需要(yào)在(zài)工程的(de)頂层設計(jì)中(zhōng)采用(yòng)三(sān)态門(mén)。代(dài)碼如(rú)下(xià)：
關(guān)于(yú)三(sān)态門(mén)詳细(xì)的(de)介紹可(kě)以(yǐ)看(kàn)明(míng)德揚《FPGA至(zhì)簡設計(jì)原理與(yǔ)應(yìng)用(yòng)》書(shū)中(zhōng)的(de)第(dì)一(yī)篇(piān)第(dì)三(sān)章(zhāng)5.2.4高(gāo)阻态一(yī)节(jié)。
1.1.7參考代(dài)碼
下(xià)面(miàn)是(shì)使用(yòng)工程的(de)頂层代(dài)碼：
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module sdram_top(
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clk ,
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rst_n ,
-
key ,
-
dq ,
-
cke ,
-
cs ,
-
ras ,
-
cas ,
-
we ,
-
dqm ,
-
sd_addr ,
-
sd_bank ,
-
sd_clk
-
);
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input clk ;
-
input rst_n ;
-
input [3:0] key ;
-
inout [15:0] dq ;
-
output cke ;
-
output cs ;
-
output ras ;
-
output cas ;
-
output we ;
-
output [1 :0] dqm ;
-
output [12:0] sd_addr ;
-
output [1 :0] sd_bank ;
-
output sd_clk ;
-
-
-
-
wire cke ;
-
wire cs ;
-
wire ras ;
-
wire cas ;
-
wire we ;
-
wire [1 :0] dqm ;
-
wire [12:0] sd_addr ;
-
wire [1 :0] sd_bank ;
-
wire sd_clk ;
-
-
-
-
wire clk_100m ;
-
wire wr_ack ;
-
wire rd_ack ;
-
wire wr_req ;
-
wire rd_req ;
-
wire [1 :0] bank ;
-
wire [12:0] addr ;
-
wire [15:0] wdata ;
-
wire [15:0] rdata ;
-
wire rdata_vld;
-
wire [3:0 ] key_vld ;
-
-
wire [15:0] dq_in ;
-
wire [15:0] dq_out ;
-
wire dq_out_en;
-
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assign dq_in = dq;
-
assign dq = dq_out_en?dq_out:16'hzzzz;
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pll_100m uut_pll(
-
.inclk0 (clk ),
-
.c0 (clk_100m )
-
);
-
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key_module uut_key(
-
.clk (clk_100m ),
-
.rst_n (rst_n ),
-
.key_in (key ),
-
.key_vld (key_vld ),
-
);
-
-
data_ctrl uut_ctrl(
-
.clk (clk_100m ),
-
.rst_n (rst_n ),
-
.key_vld (key_vld ),
-
.wr_ack (wr_ack ),
-
.rd_ack (rd_ack ),
-
.wr_req (wr_req ),
-
.rd_req (rd_req ),
-
.bank (bank ),
-
.addr (addr ),
-
.wdata (wdata )
-
);
-
-
sdram_intf uut_sdram(
-
.clk (clk_100m ),
-
.rst_n (rst_n ),
-
.wr_req (wr_req ),
-
.rd_req (rd_req ),
-
.bank (bank ),
-
.addr (addr ),
-
.wdata (wdata ),
-
.dq_in (dq_in ),
-
.dq_out (dq_out ),
-
.dq_out_en (dq_out_en),
-
.wr_ack (wr_ack ),
-
.rd_ack (rd_ack ),
-
.rdata (rdata ),
-
.rdata_vld (rdata_vld),
-
.cke (cke ),
-
.cs (cs ),
-
.ras (ras ),
-
.cas (cas ),
-
.we (we ),
-
.dqm (dqm ),
-
.sd_addr (sd_addr ),
-
.sd_bank (sd_bank ),
-
.sd_clk (sd_clk )
-
-
);
-
-
-
-
endmodule
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複制代(dài)碼
1.2 按鍵檢测模块(kuài)設計(jì)
1.5.1接口(kǒu)信(xìn)号(hào)
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信(xìn)号(hào)名
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系(xì)統複位信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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读(dú)數據(jù)有(yǒu)效指示信(xìn)号(hào)
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SDRAM时(shí)鐘(zhōng)使能(néng)信(xìn)号(hào)，決定(dìng)是(shì)否啟用(yòng)clk輸入(rù)，为(wèi)高(gāo)電(diàn)平时(shí)，时(shí)鐘(zhōng)有(yǒu)效。
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SDRAM片(piàn)選信(xìn)号(hào)，決定(dìng)設備內(nèi)是(shì)否啟用(yòng)命令輸入(rù)，當cs为(wèi)低时(shí)啟用(yòng)，當cs为(wèi)高(gāo)时(shí)禁用(yòng)命令輸入(rù)。
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行地(dì)址選通(tòng)信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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列地(dì)址選通(tòng)信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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写使能(néng)信(xìn)号(hào)，低電(diàn)平有(yǒu)效
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數據(jù)掩碼，控制I/O的(de)高(gāo)低字(zì)节(jié)，低電(diàn)平有(yǒu)效。例如(rú)：2’b10，表(biǎo)示數據(jù)高(gāo)字(zì)节(jié)无效，低字(zì)节(jié)有(yǒu)效。
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Bank地(dì)址選擇信(xìn)号(hào)，通(tòng)过(guò)該信(xìn)号(hào)決定(dìng)哪个(gè)Bank正(zhèng)处于(yú)激活、读(dú)、写、預充電(diàn)等命令期(qī)間(jiān)。
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SDRAM輸入(rù)时(shí)鐘(zhōng)，除cke外(wài)，SDRAM的(de)所(suǒ)有(yǒu)輸入(rù)與(yǔ)該引脚的(de)上(shàng)升(shēng)沿同(tóng)步獲得。
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1.5.2SDRAM工作流程
SDRAM初始化(huà)
再SDRAM內(nèi)部(bù)有(yǒu)一(yī)个(gè)邏輯控制單元(yuán)，并且有(yǒu)一(yī)个(gè)模式寄存器为(wèi)其提(tí)供控制參數。每次(cì)開(kāi)機(jī)时(shí)SDRAM都要(yào)先(xiān)对(duì)这(zhè)个(gè)控制邏輯核心(xīn)進(jìn)行初始化(huà)。SDRAM必須以(yǐ)預定(dìng)義的(de)方(fāng)式啟動(dòng)和(hé)初始化(huà)。在(zài)電(diàn)源同(tóng)时(shí)作用(yòng)于(yú)Vdd和(hé)Vddq後(hòu)開(kāi)始初始化(huà)SDRAM，此(cǐ)时(shí)的(de)时(shí)鐘(zhōng)稳定(dìng)并且将數據(jù)掩碼和(hé)时(shí)鐘(zhōng)使能(néng)信(xìn)号(hào)拉高(gāo)。在(zài)向(xiàng)SDRAM發(fà)送命令之前(qián)需要(yào)有(yǒu)100us的(de)延时(shí)，此(cǐ)时(shí)SDRAM不(bù)執行任何操作。在(zài)100us延时(shí)滿足後(hòu)，需要(yào)对(duì)Bank進(jìn)行預充電(diàn)，在(zài)此(cǐ)期(qī)間(jiān)所(suǒ)有(yǒu)的(de)Bank处于(yú)空閑狀态。預充電(diàn)之後(hòu)会(huì)有(yǒu)至(zhì)少(shǎo)两(liǎng)个(gè)自(zì)刷新操作，完成(chéng)自(zì)刷新便可(kě)以(yǐ)对(duì)SDRAM進(jìn)行模式寄存器配置。下(xià)面(miàn)是(shì)初始化(huà)的(de)时(shí)序图(tú)
從上(shàng)图(tú)中(zhōng)可(kě)以(yǐ)看(kàn)出(chū)，上(shàng)電(diàn)後(hòu)等待时(shí)間(jiān)为(wèi)T=100us，預充電(diàn)操作需要(yào)的(de)时(shí)間(jiān)为(wèi)TRP，一(yī)次(cì)自(zì)刷新需要(yào)的(de)时(shí)間(jiān)是(shì)TRC，加载模式寄存器需要(yào)的(de)时(shí)間(jiān)为(wèi)TMRD。
在(zài)初始化(huà)中(zhōng)的(de)預充電(diàn)期(qī)間(jiān)，地(dì)址線(xiàn)A10定(dìng)義自(zì)動(dòng)預充電(diàn)，以(yǐ)确定(dìng)是(shì)否所(suǒ)有(yǒu)Bank都被(bèi)預充電(diàn)，也(yě)可(kě)以(yǐ)通(tòng)过(guò)Bank地(dì)址選擇信(xìn)号(hào)BA0和(hé)BA1来(lái)決定(dìng)進(jìn)行預充電(diàn)的(de)Bank地(dì)址。在(zài)加载模式寄存器期(qī)間(jiān)，地(dì)址線(xiàn)A0到(dào)A11一(yī)起組成(chéng)命令碼。
SDRAM行激活
初始化(huà)完成(chéng)之後(hòu)，在(zài)向(xiàng)SDRAM發(fà)送读(dú)或(huò)者(zhě)写命令之前(qián)必須打(dǎ)開(kāi)該Bank中(zhōng)的(de)一(yī)行，通(tòng)过(guò)ACTIVE命令来(lái)确定(dìng)要(yào)激活的(de)Bank和(hé)行。要(yào)想(xiǎng)对(duì)一(yī)个(gè)Bank中(zhōng)的(de)阵(zhèn)列進(jìn)行尋址，首先(xiān)要(yào)确定(dìng)行（Row），然後(hòu)确定(dìng)列。片(piàn)選信(xìn)号(hào)與(yǔ)Bank選擇信(xìn)号(hào)與(yǔ)行有(yǒu)效同(tóng)时(shí)進(jìn)行，下(xià)面(miàn)是(shì)激活的(de)时(shí)序图(tú)
從上(shàng)图(tú)中(zhōng)可(kě)以(yǐ)看(kàn)出(chū)，在(zài)片(piàn)選信(xìn)号(hào)、Bank地(dì)址選定(dìng)的(de)同(tóng)时(shí)，行地(dì)址選通(tòng)信(xìn)号(hào)RAS也(yě)处于(yú)有(yǒu)效狀态，此(cǐ)时(shí)An地(dì)址線(xiàn)發(fà)送具體(tǐ)的(de)行地(dì)址。行地(dì)址位宽(kuān)为(wèi)12，共(gòng)可(kě)以(yǐ)指示2^12=4096个(gè)具體(tǐ)的(de)行地(dì)址。當行地(dì)址被(bèi)激活後(hòu)，相應(yìng)的(de)Bank也(yě)被(bèi)激活，因(yīn)此(cǐ)行激活又叫L-Bank激活。
列選擇
行地(dì)址确定(dìng)後(hòu)，就(jiù)要(yào)对(duì)列地(dì)址進(jìn)行尋址，地(dì)址線(xiàn)仍使用(yòng)A0~A11，即行地(dì)址與(yǔ)列地(dì)址共(gòng)用(yòng)地(dì)址線(xiàn)。當列地(dì)址選通(tòng)後(hòu)，就(jiù)需要(yào)对(duì)SDRAM進(jìn)行读(dú)写，而(ér)給(gěi)SDRAM读(dú)命令還(huán)是(shì)写命令由(yóu)WE信(xìn)号(hào)決定(dìng)。當WE信(xìn)号(hào)拉低时(shí)，SDRAM接收(shōu)到(dào)的(de)是(shì)写命令；當WE拉高(gāo)，SDRAM接收(shōu)读(dú)命令。列尋址信(xìn)号(hào)與(yǔ)读(dú)写命令是(shì)同(tóng)时(shí)發(fà)出(chū)的(de)。虽然地(dì)址線(xiàn)與(yǔ)行尋址共(gòng)用(yòng)，但列地(dì)址選通(tòng)脈沖CAS則可(kě)以(yǐ)區(qū)分(fēn)開(kāi)行與(yǔ)列尋址的(de)不(bù)同(tóng)，配合A0~A9、A11来(lái)确定(dìng)具體(tǐ)的(de)地(dì)址。
在(zài)發(fà)送列读(dú)写命令时(shí)必須要(yào)與(yǔ)有(yǒu)效命令有(yǒu)一(yī)个(gè)时(shí)間(jiān)間(jiān)隔，这(zhè)个(gè)时(shí)間(jiān)間(jiān)隔被(bèi)定(dìng)義为(wèi)TRCD。
读(dú)操作
读(dú)命令從輸入(rù)信(xìn)号(hào)BA0、BA1中(zhōng)選取(qǔ)要(yào)進(jìn)行读(dú)數據(jù)操作的(de)BANK，并在(zài)已激活的(de)行中(zhōng)進(jìn)行突發(fà)读(dú)写操作。輸入(rù)的(de)A0~A7用(yòng)来(lái)進(jìn)行列尋址。在(zài)選定(dìng)列地(dì)址後(hòu)，就(jiù)已經(jīng)确定(dìng)了(le)具體(tǐ)的(de)存儲單元(yuán)，剩下(xià)的(de)事(shì)情(qíng)就(jiù)是(shì)數據(jù)通(tòng)过(guò)dq輸出(chū)到(dào)內(nèi)存總(zǒng)線(xiàn)上(shàng)了(le)。但是(shì)再CAS發(fà)出(chū)之後(hòu)，仍要(yào)經(jīng)过(guò)一(yī)定(dìng)的(de)时(shí)間(jiān)才能(néng)有(yǒu)數據(jù)輸出(chū)，從CAS與(yǔ)读(dú)取(qǔ)命令發(fà)出(chū)到(dào)第(dì)一(yī)个(gè)數據(jù)輸出(chū)的(de)这(zhè)段(duàn)时(shí)間(jiān)，被(bèi)定(dìng)義为(wèi)CALLatency（CAS潛伏期(qī)）。由(yóu)于(yú)此(cǐ)現(xiàn)象(xiàng)只(zhī)在(zài)读(dú)的(de)时(shí)候出(chū)現(xiàn)，所(suǒ)以(yǐ)又稱作读(dú)潛伏期(qī)
由(yóu)于(yú)存儲體(tǐ)中(zhōng)晶體(tǐ)管(guǎn)存在(zài)反(fǎn)應(yìng)时(shí)間(jiān)，從而(ér)造成(chéng)數據(jù)不(bù)可(kě)能(néng)與(yǔ)CAS 在(zài)同(tóng)一(yī)上(shàng)升(shēng)沿觸發(fà)，因(yīn)此(cǐ)要(yào)延後(hòu)至(zhì)少(shǎo)一(yī)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)。考慮到(dào)芯片(piàn)體(tǐ)積較小的(de)因(yīn)素，存儲單元(yuán)中(zhōng)的(de)電(diàn)容容量(liàng)很小，所(suǒ)以(yǐ)信(xìn)号(hào)要(yào)經(jīng)过(guò)放(fàng)大来(lái)保證其有(yǒu)效的(de)識别性(xìng)，这(zhè)个(gè)放(fàng)大/驅動(dòng)工作由(yóu) S-AMP 負責，一(yī)个(gè)存儲體(tǐ)对(duì)應(yìng)一(yī)个(gè) S-AMP 通(tòng)道(dào)。但它(tā)要(yào)有(yǒu)一(yī)个(gè)準備时(shí)間(jiān)才能(néng)保證信(xìn)号(hào)的(de)發(fà)送強(qiáng)度(dù)（事(shì)前(qián)還(huán)要(yào)進(jìn)行電(diàn)壓比較以(yǐ)進(jìn)行邏輯電(diàn)平的(de)判斷），因(yīn)此(cǐ)從數據(jù) I/O 總(zǒng)線(xiàn)上(shàng)有(yǒu)數據(jù)輸出(chū)之前(qián)的(de)一(yī)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)上(shàng)升(shēng)沿開(kāi)始，數據(jù)即已傳向(xiàng) S-AMP，也(yě)就(jiù)是(shì)说(shuō)此(cǐ)时(shí)數據(jù)已經(jīng)被(bèi)觸發(fà)，經(jīng)过(guò)一(yī)定(dìng)的(de)驅動(dòng)时(shí)間(jiān)最(zuì)終(zhōng)傳向(xiàng)數據(jù) I/O 總(zǒng)線(xiàn)進(jìn)行輸出(chū)，这(zhè)段(duàn)时(shí)間(jiān)我(wǒ)们(men)稱之为(wèi) tAC（Access-Time-from-CLK，时(shí)鐘(zhōng)觸發(fà)後(hòu)的(de)訪問(wèn)时(shí)間(jiān)），單位是(shì) ns。在(zài)突發(fà)读(dú)操作完成(chéng)後(hòu)，如(rú)果(guǒ)選擇了(le)自(zì)動(dòng)預充電(diàn)模式，那(nà)麼(me)該行就(jiù)会(huì)直(zhí)接進(jìn)入(rù)充電(diàn)。如(rú)果(guǒ)沒(méi)有(yǒu)選擇此(cǐ)模式，那(nà)麼(me)該行将保持(chí)打(dǎ)開(kāi)狀态，供後(hòu)續訪問(wèn)。自(zì)動(dòng)預充電(diàn)模式的(de)選擇與(yǔ) A10的(de)值有(yǒu)關(guān)，A10 为(wèi)高(gāo)时(shí)为(wèi)自(zì)動(dòng)預充電(diàn)命令模式。
写操作
數據(jù)写入(rù)的(de)操作也(yě)是(shì)在(zài) tRCD 之後(hòu)進(jìn)行，但此(cǐ)时(shí)沒(méi)有(yǒu) CL（CL 只(zhī)出(chū)現(xiàn)在(zài)读(dú)取(qǔ)操作中(zhōng)），行尋址與(yǔ)列尋址的(de)时(shí)序一(yī)樣(yàng)致(zhì)，只(zhī)是(shì)在(zài)列尋址时(shí)，WE#为(wèi)有(yǒu)效狀态。由(yóu)于(yú)數據(jù)信(xìn)号(hào)由(yóu)控制端發(fà)出(chū)，輸入(rù)时(shí)芯片(piàn)无需做任何調校(xiào)，只(zhī)需直(zhí)接傳到(dào)數據(jù)輸入(rù)寄存器中(zhōng)，然後(hòu)再由(yóu)写入(rù)驅動(dòng)器進(jìn)行对(duì)存儲電(diàn)容的(de)充電(diàn)操作，因(yīn)此(cǐ)數據(jù)可(kě)以(yǐ)與(yǔ) CAS 同(tóng)时(shí)發(fà)送，也(yě)就(jiù)是(shì)说(shuō)写入(rù)延遲为(wèi) 0。不(bù)过(guò)，數據(jù)并不(bù)是(shì)即时(shí)地(dì)写入(rù)存儲電(diàn)容，因(yīn)为(wèi)選通(tòng)三(sān)极(jí)管(guǎn)（就(jiù)如(rú)读(dú)取(qǔ)时(shí)一(yī)樣(yàng)）與(yǔ)電(diàn)容的(de)充電(diàn)必須要(yào)有(yǒu)一(yī)段(duàn)时(shí)間(jiān)，所(suǒ)以(yǐ)數據(jù)的(de)真(zhēn)正(zhèng)写入(rù)需要(yào)一(yī)定(dìng)的(de)周期(qī)。
突發(fà)读(dú)写
突發(fà)（Burst）是(shì)指在(zài)同(tóng)一(yī)行中(zhōng)相鄰的(de)存儲單元(yuán)連(lián)續進(jìn)行數據(jù)傳輸的(de)方(fāng)式，連(lián)續傳輸所(suǒ)涉及(jí)到(dào)存儲單元(yuán)（列）的(de)數量(liàng)就(jiù)是(shì)突發(fà)长度(dù)（Burst Lengths，簡稱 BL）。前(qián)文(wén)講到(dào)的(de)读(dú)/写操作，都是(shì)一(yī)次(cì)对(duì)一(yī)个(gè)存儲單元(yuán)進(jìn)行尋址，如(rú)果(guǒ)想(xiǎng)要(yào)連(lián)續的(de)向(xiàng) SDRAM 中(zhōng)读(dú)數據(jù)或(huò)者(zhě)写數據(jù)，就(jiù)需要(yào)对(duì)當前(qián)存儲單元(yuán)的(de)下(xià)一(yī)个(gè)單元(yuán)進(jìn)行尋址，也(yě)即是(shì)需要(yào)不(bù)停給(gěi) SDRAM 列激活信(xìn)号(hào)以(yǐ)及(jí)读(dú)/写命令（行地(dì)址不(bù)變(biàn)，所(suǒ)以(yǐ)不(bù)用(yòng)再对(duì)行尋址）。虽然由(yóu)于(yú)读(dú)/写延遲相同(tóng)可(kě)以(yǐ)讓數據(jù)的(de)傳輸在(zài) I/O 端是(shì)連(lián)續的(de)，但它(tā)占用(yòng)了(le)大量(liàng)的(de)內(nèi)存控制資源，在(zài)數據(jù)進(jìn)行連(lián)續傳輸时(shí)无法輸入(rù)新的(de)命令，效率很低。为(wèi)此(cǐ)，人(rén)们(men)開(kāi)發(fà)了(le)突發(fà)傳輸技術(shù)，只(zhī)要(yào)指定(dìng)起始列地(dì)址與(yǔ)突發(fà)长度(dù)，SDRAM 就(jiù)会(huì)不(bù)再需要(yào)控制器連(lián)續地(dì)提(tí)供列地(dì)址，依次(cì)地(dì)自(zì)動(dòng)对(duì)後(hòu)面(miàn)相應(yìng)數量(liàng)的(de)存儲單元(yuán)進(jìn)行读(dú)/写操作。这(zhè)樣(yàng)，在(zài)突發(fà)模式读(dú)写中(zhōng)，除了(le)第(dì)一(yī)个(gè)數據(jù)的(de)傳輸需要(yào)若干(gàn)个(gè)周期(qī)（主(zhǔ)要(yào)是(shì)之前(qián)的(de)延遲，一(yī)般的(de)是(shì)tRCD+CL），其後(hòu)每个(gè)數據(jù)只(zhī)需一(yī)个(gè)周期(qī)的(de)即可(kě)獲得。至(zhì)于(yú)突發(fà)长度(dù) BL 的(de)數值，也(yě)是(shì)不(bù)能(néng)随便設或(huò)在(zài)數據(jù)進(jìn)行傳輸前(qián)臨时(shí)決定(dìng)，而(ér)是(shì)在(zài)上(shàng)文(wén)講到(dào)的(de) SDRAM 初始化(huà)过(guò)程中(zhōng)模式寄存器配置階(jiē)段(duàn)就(jiù)要(yào)对(duì)突發(fà)长度(dù)進(jìn)行設置。目前(qián)可(kě)用(yòng)的(de)選項是(shì) 1、2、4、8、全(quán)页(yè)（FullPage），常見(jiàn)的(de)突發(fà)长度(dù)設定(dìng)是(shì) BL=4、BL=8 或(huò)者(zhě)全(quán)页(yè)突發(fà)模式。
1.5.3設計(jì)思(sī)路(lù)
經(jīng)过(guò)上(shàng)面(miàn)对(duì)SDRAM工作流程的(de)介紹，可(kě)以(yǐ)采用(yòng)狀态機(jī)作为(wèi)本(běn)工程的(de)一(yī)个(gè)架構，根(gēn)據(jù)指令的(de)不(bù)同(tóng)，劃(huà)分(fēn)为(wèi)8个(gè)狀态，分(fēn)别为(wèi)空操作（NOP）、預充電(diàn)（PER）、自(zì)刷新（REF）、加载模式寄存器（MOD）、空閑（IDL）、激活（ACT）、读(dú)數據(jù)（RED）和(hé)写數據(jù)（WIR）。
由(yóu)于(yú)每个(gè)操作需要(yào)的(de)时(shí)間(jiān)都不(bù)同(tóng)，因(yīn)此(cǐ)需要(yào)一(yī)个(gè)計(jì)數器来(lái)对(duì)每个(gè)操作需要(yào)的(de)时(shí)間(jiān)進(jìn)行計(jì)數。
該計(jì)數器加一(yī)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)state_c!=IDL，表(biǎo)示只(zhī)要(yào)不(bù)是(shì)处于(yú)空閑狀态，就(jiù)進(jìn)行計(jì)數；結束(shù)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)數x个(gè)，x根(gēn)據(jù)目前(qián)所(suǒ)处的(de)狀态的(de)不(bù)同(tóng)而(ér)不(bù)同(tóng)，具體(tǐ)數據(jù)可(kě)以(yǐ)看(kàn)下(xià)面(miàn)的(de)表(biǎo)格。
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當前(qián)狀态
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計(jì)數器數多(duō)少(shǎo)个(gè)
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由(yóu)于(yú)再初始化(huà)階(jiē)段(duàn)，自(zì)刷新需要(yào)連(lián)續進(jìn)行两(liǎng)次(cì)，因(yīn)此(cǐ)需要(yào)将初始化(huà)階(jiē)段(duàn)區(qū)分(fēn)出(chū)来(lái)，設計(jì)一(yī)个(gè)初始化(huà)指示信(xìn)号(hào)init_flag：該信(xìn)号(hào)初始狀态为(wèi)高(gāo)電(diàn)平，表(biǎo)示上(shàng)電(diàn)之後(hòu)SDRAM处于(yú)初始化(huà)階(jiē)段(duàn)；當初始化(huà)完成(chéng)之後(hòu)變(biàn)为(wèi)低電(diàn)平，因(yīn)此(cǐ)從高(gāo)變(biàn)低的(de)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)mod2idl_start。
自(zì)刷新計(jì)數器cnt1：該計(jì)數器表(biǎo)示初始化(huà)階(jiē)段(duàn)進(jìn)行自(zì)刷新的(de)次(cì)數。加一(yī)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)(init_flag && state_c==REF && end__cnt)，表(biǎo)示在(zài)初始化(huà)階(jiē)段(duàn)，如(rú)果(guǒ)當前(qián)狀态为(wèi)自(zì)刷新，則时(shí)鐘(zhōng)計(jì)數器數完一(yī)次(cì)就(jiù)加一(yī)；結束(shù)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)數两(liǎng)个(gè)，初始化(huà)階(jiē)段(duàn)共(gòng)進(jìn)行两(liǎng)次(cì)自(zì)刷新，因(yīn)此(cǐ)只(zhī)需要(yào)數两(liǎng)个(gè)即可(kě)。
在(zài)初始化(huà)完成(chéng)之後(hòu)，需要(yào)進(jìn)行自(zì)刷新、读(dú)數據(jù)和(hé)写數據(jù)等操作，由(yóu)于(yú)自(zì)刷新是(shì)必須進(jìn)行的(de)，因(yīn)此(cǐ)自(zì)刷新請求的(de)优先(xiān)級是(shì)最(zuì)高(gāo)的(de)，那(nà)麼(me)读(dú)請求和(hé)写請求的(de)优先(xiān)級怎麼(me)确定(dìng)呢？假設設置读(dú)請求的(de)优先(xiān)級高(gāo)于(yú)写請求，读(dú)請求和(hé)写請求一(yī)起来(lái)的(de)时(shí)候，總(zǒng)是(shì)先(xiān)執行读(dú)請求，如(rú)果(guǒ)读(dú)請求一(yī)直(zhí)有(yǒu)效的(de)話(huà)，便不(bù)会(huì)執行写操作。反(fǎn)之設置写請求的(de)优先(xiān)級高(gāo)于(yú)读(dú)請求，也(yě)会(huì)出(chū)現(xiàn)这(zhè)樣(yàng)的(de)問(wèn)題(tí)，这(zhè)當然是(shì)不(bù)可(kě)以(yǐ)的(de)。因(yīn)此(cǐ)我(wǒ)们(men)設置为(wèi)如(rú)果(guǒ)两(liǎng)个(gè)請求不(bù)是(shì)同(tóng)时(shí)有(yǒu)效，則哪一(yī)个(gè)有(yǒu)效便執行哪一(yī)个(gè)。如(rú)果(guǒ)同(tóng)时(shí)来(lái)的(de)时(shí)候，第(dì)一(yī)次(cì)同(tóng)时(shí)来(lái)，先(xiān)執行写操作，第(dì)二(èr)次(cì)同(tóng)时(shí)有(yǒu)效的(de)时(shí)候在(zài)執行写操作，如(rú)此(cǐ)交替進(jìn)行即可(kě)。通(tòng)过(guò)两(liǎng)个(gè)信(xìn)号(hào)進(jìn)行控制：
读(dú)操作指示信(xìn)号(hào)flag_rd：初始狀态为(wèi)低電(diàn)平，表(biǎo)示上(shàng)一(yī)次(cì)執行的(de)写操作；從低變(biàn)高(gāo)的(de)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)state_c==RED，表(biǎo)示如(rú)果(guǒ)執行的(de)是(shì)读(dú)操作，則置为(wèi)高(gāo)電(diàn)平；當執行的(de)是(shì)写操作的(de)时(shí)候，該信(xìn)号(hào)置为(wèi)0，所(suǒ)以(yǐ)變(biàn)0的(de)条(tiáo)件(jiàn)是(shì)state_c==WIR。
读(dú)写同(tóng)步指示信(xìn)号(hào)flag_syn：初始狀态为(wèi)0，表(biǎo)示读(dú)写請求沒(méi)有(yǒu)同(tóng)时(shí)有(yǒu)效，如(rú)果(guǒ)當前(qián)处于(yú)激活狀态，并且读(dú)写請求同(tóng)时(shí)有(yǒu)效，則置为(wèi)1，當激活狀态結束(shù)，重(zhòng)新變(biàn)为(wèi)0。
設計(jì)中(zhōng)的(de)輔助信(xìn)号(hào)已經(jīng)完成(chéng)的(de)差不(bù)多(duō)了(le)，下(xià)面(miàn)開(kāi)始進(jìn)行狀态機(jī)的(de)架構，架構图(tú)如(rú)下(xià)图(tú)所(suǒ)示：
下(xià)面(miàn)介紹一(yī)个(gè)各(gè)个(gè)狀态之間(jiān)的(de)跳轉(zhuǎn)条(tiáo)件(jiàn)。
上(shàng)電(diàn)之後(hòu)，先(xiān)進(jìn)入(rù)空操作狀态，在(zài)空操作狀态下(xià)：
1、 延时(shí)100us之後(hòu)，進(jìn)入(rù)到(dào)預充電(diàn)狀态。
當处于(yú)預充電(diàn)狀态的(de)时(shí)候：
1、 如(rú)果(guǒ)处于(yú)初始化(huà)階(jiē)段(duàn)，两(liǎng)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)之後(hòu)，跳轉(zhuǎn)到(dào)自(zì)刷新狀态。
2、 如(rú)果(guǒ)不(bù)是(shì)初始化(huà)階(jiē)段(duàn)，两(liǎng)个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)之後(hòu)，跳轉(zhuǎn)到(dào)空閑狀态。
當处于(yú)自(zì)刷新狀态时(shí)：
1、 如(rú)果(guǒ)处于(yú)初始化(huà)狀态，7个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)之後(hòu)，跳轉(zhuǎn)到(dào)自(zì)刷新狀态。
2、 如(rú)果(guǒ)处于(yú)初始化(huà)狀态，并且已經(jīng)進(jìn)行过(guò)一(yī)次(cì)初始化(huà)，7个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)之後(hòu)，跳轉(zhuǎn)到(dào)加载模式寄存器狀态。
3、 如(rú)果(guǒ)不(bù)是(shì)初始化(huà)階(jiē)段(duàn)，7个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)之後(hòu)，跳轉(zhuǎn)到(dào)空閑狀态。
當处于(yú)加载模式寄存器狀态时(shí)：
1、 2个(gè)时(shí)鐘(zhōng)周期(qī)之後(hòu)，進(jìn)入(rù)到(dào)空閑狀态。
當处于(yú)空閑狀态时(shí)：
1、 如(rú)果(guǒ)收(shōu)到(dào)自(zì)刷新請求，則跳轉(zhuǎn)到(dào)自(zì)刷新狀态。
2、 如(rú)果(guǒ)自(zì)刷新請求无效，收(shōu)到(dào)读(dú)/写請求，則跳轉(zhuǎn)到(dào)激活狀态。
當处于(yú)处于(yú)激活狀态时(shí)：
1、 當读(dú)写請求不(bù)同(tóng)时(shí)的(de)时(shí)候，接收(shōu)到(dào)读(dú)請求，則跳轉(zhuǎn)到(dào)读(dú)狀态。
2、 當读(dú)写請求不(bù)同(tóng)时(shí)的(de)时(shí)候，接收(shōu)到(dào)写請求，則跳轉(zhuǎn)到(dào)写狀态
3、 當读(dú)写請求同(tóng)时(shí)到(dào)达(dá)的(de)时(shí)候，第(dì)一(yī)次(cì)来(lái)的(de)时(shí)候，首先(xiān)響應(yìng)读(dú)請求，跳轉(zhuǎn)到(dào)读(dú)狀态
4、 當读(dú)写請求同(tóng)时(shí)到(dào)达(dá)，但不(bù)是(shì)第(dì)一(yī)次(cì)同(tóng)时(shí)有(yǒu)效的(de)时(shí)候，則根(gēn)據(jù)上(shàng)一(yī)次(cì)執行的(de)操作進(jìn)行判斷，如(rú)果(guǒ)上(shàng)一(yī)次(cì)執行的(de)读(dú)操作，則这(zhè)次(cì)執行写操作，跳轉(zhuǎn)到(dào)写狀态；如(rú)果(guǒ)上(shàng)一(yī)次(cì)執行的(de)写操作，則这(zhè)次(cì)執行读(dú)操作，跳轉(zhuǎn)到(dào)读(dú)狀态。
當处于(yú)写狀态的(de)时(shí)候：
1、 写數據(jù)完成(chéng)，就(jiù)進(jìn)入(rù)到(dào)預充電(diàn)狀态。
當处于(yú)读(dú)狀态的(de)时(shí)候：
1、 读(dú)數據(jù)完成(chéng)，就(jiù)進(jìn)入(rù)到(dào)預充電(diàn)狀态。
指令集信(xìn)号(hào)conmand：該信(xìn)号(hào)共(gòng)4bit，從最(zuì)高(gāo)位到(dào)最(zuì)低位分(fēn)别表(biǎo)示cs、ras、cas、we。在(zài)空操作階(jiē)段(duàn)，指令为(wèi)4’b0111；在(zài)預充電(diàn)階(jiē)段(duàn)，指令为(wèi)4’b0010；在(zài)自(zì)刷新階(jiē)段(duàn)，指令为(wèi)4’b0001；在(zài)加载模式寄存器階(jiē)段(duàn)，指令为(wèi)4’b0000；在(zài)激活階(jiē)段(duàn)，指令为(wèi)4’b0011；在(zài)读(dú)數據(jù)階(jiē)段(duàn)，指令为(wèi)4’b0101；在(zài)写數據(jù)階(jiē)段(duàn)，指令为(wèi)4’b0100。这(zhè)些操作对(duì)應(yìng)的(de)指令碼都是(shì)從图(tú)中(zhōng)的(de)表(biǎo)格中(zhōng)查找(zhǎo)得来(lái)。
數據(jù)掩碼dqm：初始狀态为(wèi)2’b11，表(biǎo)示輸入(rù)得两(liǎng)个(gè)字(zì)节(jié)數據(jù)无效。當初始化(huà)完成(chéng)之後(hòu)，變(biàn)为(wèi)2’b00，表(biǎo)示輸入(rù)得两(liǎng)个(gè)字(zì)节(jié)數據(jù)有(yǒu)效。
时(shí)鐘(zhōng)使能(néng)cke：複位时(shí)为(wèi)0，表(biǎo)示輸入(rù)时(shí)鐘(zhōng)无效，複位結束(shù)之後(hòu)为(wèi)1，表(biǎo)示輸入(rù)时(shí)鐘(zhōng)有(yǒu)效。
Bank選擇信(xìn)号(hào)sd_bank：初始狀态为(wèi)2’b00，表(biǎo)示選擇Bank0；在(zài)激活階(jiē)段(duàn)、读(dú)階(jiē)段(duàn)和(hé)写階(jiē)段(duàn)，該信(xìn)号(hào)由(yóu)輸入(rù)得bank信(xìn)号(hào)決定(dìng)。
SDRAM地(dì)址選擇信(xìn)号(hào)sd_addr：由(yóu)于(yú)本(běn)工程采用(yòng)的(de)預充電(diàn)模式为(wèi)全(quán)Bnak自(zì)動(dòng)預充電(diàn)，該模式由(yóu)地(dì)址線(xiàn)A10控制，因(yīn)此(cǐ)在(zài)預充電(diàn)得时(shí)候，地(dì)址指令为(wèi)13’b001_0_00_000_0_000；在(zài)激活的(de)时(shí)候提(tí)供行地(dì)址；在(zài)加载模式寄存器得时(shí)候，地(dì)址線(xiàn)提(tí)供運算碼，这(zhè)时(shí)每个(gè)地(dì)址表(biǎo)示得意(yì)思(sī)入(rù)下(xià)图(tú)所(suǒ)示，A9決定(dìng)读(dú)模式，A6、A5、A4決定(dìng)读(dú)數據(jù)得潛伏期(qī)，A3決定(dìng)突發(fà)類(lèi)型，A2、A1、A0決定(dìng)突發(fà)长度(dù)。
由(yóu)于(yú)MP801開(kāi)發(fà)板使用(yòng)得SDRAM有(yǒu)两(liǎng)種(zhǒng)型号(hào)，一(yī)種(zhǒng)是(shì)W9812G6KH，共(gòng)4096行，自(zì)刷新周期(qī)为(wèi)1562，另(lìng)一(yī)種(zhǒng)是(shì)H57V2562GTR，共(gòng)8192行，自(zì)刷新周期(qī)为(wèi)780。在(zài)使用(yòng)得时(shí)候需要(yào)注意(yì)開(kāi)發(fà)板型号(hào)，这(zhè)里(lǐ)我(wǒ)们(men)以(yǐ)H57V2562GTR为(wèi)例。自(zì)刷新需要(yào)以(yǐ)下(xià)信(xìn)号(hào)：
时(shí)鐘(zhōng)計(jì)數器cnt_780：該計(jì)數器主(zhǔ)要(yào)得作用(yòng)是(shì)初始化(huà)結束(shù)之後(hòu)，數自(zì)刷新得周期(qī)；加一(yī)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)init_flag==0，表(biǎo)示初始化(huà)結束(shù)就(jiù)開(kāi)始計(jì)數；結束(shù)条(tiáo)件(jiàn)为(wèi)數780个(gè)，數完就(jiù)清(qīng)零(líng)。
自(zì)刷新請求ref_req：初始狀态为(wèi)0，表(biǎo)示不(bù)需要(yào)進(jìn)行自(zì)刷新，當时(shí)鐘(zhōng)計(jì)數器cnt_780數完得时(shí)候，ref_req拉高(gāo)，請求進(jìn)行自(zì)刷新，如(rú)果(guǒ)當前(qián)处于(yú)空閑狀态，則進(jìn)行自(zì)刷新，如(rú)果(guǒ)不(bù)是(shì)，則等待。
可(kě)能(néng)有(yǒu)人(rén)会(huì)想(xiǎng)，如(rú)果(guǒ)不(bù)是(shì)空閑狀态，就(jiù)要(yào)等待，这(zhè)樣(yàng)会(huì)不(bù)会(huì)对(duì)數據(jù)保存造成(chéng)影響？其实不(bù)会(huì)得，存儲器要(yào)求64ms全(quán)部(bù)刷新一(yī)遍(biàn)，但不(bù)需要(yào)每一(yī)行刷新得間(jiān)隔都一(yī)樣(yàng)。當时(shí)鐘(zhōng)計(jì)數器cnt_780數完之後(hòu)，産生(shēng)自(zì)刷新請求，同(tóng)时(shí)时(shí)鐘(zhōng)計(jì)數器又会(huì)開(kāi)始計(jì)數，所(suǒ)以(yǐ)可(kě)能(néng)自(zì)刷新得間(jiān)隔不(bù)同(tóng)，但每一(yī)行肯定(dìng)能(néng)在(zài)64ms內(nèi)刷新1次(cì)。
写SDRAM數據(jù)信(xìn)号(hào)dq_out：該信(xìn)号(hào)直(zhí)接等于(yú)写數據(jù)wdata（注意(yì)，需要(yào)用(yòng)組合邏輯实現(xiàn)）。
三(sān)态門(mén)使能(néng)信(xìn)号(hào)dq_out_en：初始狀态为(wèi)0，表(biǎo)示使能(néng)无效，在(zài)写數據(jù)期(qī)間(jiān)，變(biàn)为(wèi)高(gāo)電(diàn)平，表(biǎo)示使能(néng)有(yǒu)效。
读(dú)SDRAM數據(jù)信(xìn)号(hào)rdata：直(zhí)接将sdram輸出(chū)數據(jù)dq_in連(lián)接即可(kě)。
读(dú)數據(jù)有(yǒu)效指示信(xìn)号(hào)rdata_vld：由(yóu)于(yú)存在(zài)读(dú)數據(jù)潛伏期(qī)，根(gēn)據(jù)設置得潛伏期(qī)得长度(dù)，将rdata_vld進(jìn)行相應(yìng)得延时(shí)。
1.5.4參考代(dài)碼
1.6 效果(guǒ)和(hé)總(zǒng)結
該工程得上(shàng)板效果(guǒ)使用(yòng)signaltap進(jìn)行捕捉来(lái)观测的(de)，因(yīn)此(cǐ)不(bù)同(tóng)開(kāi)發(fà)板的(de)上(shàng)板效果(guǒ)是(shì)一(yī)樣(yàng)，那(nà)麼(me)下(xià)面(miàn)就(jiù)只(zhī)介紹mp801的(de)上(shàng)板現(xiàn)象(xiàng)。
下(xià)图(tú)是(shì)写數據(jù)的(de)情(qíng)況，Bank地(dì)址为(wèi)0。写入(rù)SDRAM的(de)數據(jù)为(wèi)0~255。
下(xià)图(tú)是(shì)读(dú)數據(jù)的(de)情(qíng)況，Bank地(dì)址为(wèi)0，潛伏期(qī)为(wèi)2，读(dú)出(chū)的(de)數據(jù)为(wèi)0~255。
下(xià)图(tú)是(shì)读(dú)數據(jù)的(de)情(qíng)況，Bank地(dì)址为(wèi)1，潛伏期(qī)为(wèi)2，读(dú)出(chū)的(de)數據(jù)不(bù)是(shì)0~255，这(zhè)是(shì)因(yīn)为(wèi)我(wǒ)们(men)写數據(jù)的(de)地(dì)址是(shì)Bank0，而(ér)不(bù)是(shì)Bank1，Bank1中(zhōng)是(shì)沒(méi)有(yǒu)數據(jù)，所(suǒ)以(yǐ)读(dú)出(chū)的(de)數據(jù)就(jiù)不(bù)是(shì)确定(dìng)的(de)。
設計(jì)教学視頻和(hé)源工程代(dài)碼可(kě)以(yǐ)訪問(wèn)明(míng)德揚論壇（http://www.fpgabbs.cn/）進(jìn)行相關(guān)工程設計(jì)学習：http://www.fpgabbs.cn/thread-1151-1-1.html
